INFINEON SPU03N60S5 SPD03N60S5 说明书 该文件介绍了2005年10月5日发布的Rev. 2.4版本的SPU03N60S5和SPD03N60S5 Cool MOS™功率晶体管。这些晶体管具有新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩额定、极高的dv/dt额定、超低有效电容和改进的跨导等特点。
INFINEON BAR64... 说明书(1) BAR64系列是高压电流控制的RF电阻器,适用于RF衰减器和开关。该系列产品具有非常低的反向偏置电容,频率范围在1MHz以上到6GHz,非常适合RF应用
INFINEON SPP24N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书 本文件是SPP24N60CFD CoolMOSTM电源晶体管的产品手册,详细介绍了该产品的特性及参数,包括最大电流、最大电压、最大功耗、最大温度等。
INFINEON PROFET ITS 716G 说明书 PROFET® ITS 716G是英飞凌的Smart High-Side Power Switch For Industrial Applications产品,特点是具有4个40V/140mΩ的状态反馈通道,应用于负载电压为12V/24V的工业应用中。
INFINEON BC846...BC850 NPN Silicon AF Transistors 说明书 BC846, BC850是NPN型硅AF晶体管,主要应用于AF输入级和驱动器应用,具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压、30Hz至15kHz之间的低噪声等特点
INFINEON IPI60R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPI60R299CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的 RONxQg、超低栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值和高峰值电流能力。
INFINEON IDT06S60C 2 nd generation thinQ! SiC Schottky Diode 说明书 IDT06S60C 是IDT 的一种2A 600V 的肖特基二极管,其特点是开关行为卓越,无反向恢复/无正向恢复,无温度影响开关行为,高浪涌电流能力,无铅铅镀层,RoHS 兼容,符合 JEDEC 1) 的目标应用,击穿电压在 5mA2) 下测试。该二极管专门设计用于快速开关应用,如 CCM PFC 和电机驱动。
INFINEON IPB60R165CP 说明书 IPB60R165CP CoolMOS® Power Transistor 是一款低RONxQg、低门极电荷、高dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1)目标应用的铅免铅镀层、RoHS兼容的产品。
INFINEON SPP07N60S5 SPI07N60S5 说明书 SPP07N60S5和SPI07N60S5是Cool MOS™大功率晶体管,其特点是新颖的革命性高压技术,全球最小的RDS(on)在TO-220封装中,超低栅极电荷,周期性雪崩额定,极限dv/dt额定,超低有效电容,改进的传导率。