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INFINEON SDT12S60 Silicon Carbide Schottky Diode 说明书

SDT12S60是世界上第一个600V肖特基二极管，采用革命性的半导体材料——碳化硅，具有卓越的开关特性，无反向恢复，无温度影响，无正向恢复

该文件介绍了SPD06N60C3 CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅电荷、周期性击穿额定、高峰值电流能力、超低等效电容、极端的dv/dt额定、改善的跨导值等。

该文件是关于TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz无线收发器的数据手册。介绍了该产品的特点和特性。

IPW60R125CP是CoolMOSTM功率晶体管，具有最低的RONxQg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1)目标应用的资格认证，以及无铅镀铅和RoHS合规性。CoolMOS CP专门设计用于：服务器和电信的硬开关拓扑结构

本文件为英飞凌的MOSFET器件的数据手册，该器件具有高电流输出能力，支持高压低压的应用，可应用于电源、开关电源等场景。

SPP08P06P SIPMOS功率晶体管，特点为P通道，增强型，雪崩额定，dv/dt额定，工作温度为175°C

SPD08P06P和SPU08P06P是SIPMOS功率晶体管，具有以下特性：P通道、增强型、雪崩电压额定、dv/dt额定、175°C工作温度。

SPW47N65C3 CoolMOSTM 功率晶体管，具有以下特点：全球最优 R ds,on 在 TO247、低栅极电荷、极端 dv/dt 评级、高峰值电流能力、符合 JEDEC1) 针对目标应用的认证、无铅铅封装；符合 RoHS 要求。

SPP18P06P SIPMOS Power-Transistor是用于P通道电源开关应用的增强型三极管，其特点是具有Avalanche额定值和175°C的操作温度。

该文件介绍了SGP30N60和SGW30N60两种快速IGBT产品的特点，包括较低的Eoff、低导通损耗、短路耐受时间、NPT技术应用、JEDEC认证等。

IPW60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值和高峰值电流能力。该产品经过JEDEC1)认证，符合目标应用要求，无铅镀铅；符合RoHS要求。CoolMOS CP专为硬开关SMPS拓扑而设计。

SPP/B80P06P SIPMOS® Small-Signal-Transistor 是P通道增强型二极管，具有防雪崩功能，可在175°C的温度下工作，符合RoHS标准。

C161PI是Infineon的一款16位单片微控制器，主要应用在工业自动化、汽车电子、消费电子、电机控制等领域。

本文件是关于薄膜SiC肖特基二极管的技术参数介绍，包括最大额定值、工作温度范围、封装类型、引脚排布等信息。

SPB20N60S5 Cool MOS™功率晶体管具有600伏的最大电压，0.19欧姆的导通电阻和20安培的连续漏极电流。该晶体管具有极低的门电荷、极端的dv/dt额定值、极低的有效电容和改进的导通电阻。

该文档介绍了GA-8I865GVME型号主板的技术规格和功能特点，包括支持的处理器类型、内存类型和频率、接口和插槽等。

该文件介绍了GA-8I865GVMK主板的特点和安装注意事项。

IKW50N60T是英飞凌推出的一款IGBT产品，采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有低压降、高可靠性、高耐热性等特点。该产品适用于频率变换器和不间断电源等应用。

IPD60R600CP CoolMOS 功率晶体管的特点包括最低的 RON x Qg 比率、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力以及根据 JEDEC1) 针对目标应用进行的合格认证。

IPP60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg值，超低的门电荷，极高的dv/dt额定值和高峰值电流能力。它适用于硬切换的开关模式电源拓扑结构。