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SUUNTO S6 用户指南

该文档介绍了Suunto S6手表的特点和特性，包括时间、指南针、天气、滑雪和计时等功能。

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该文件提到的所有产品和公司名称均为其各自持有人的商标或注册商标。这些规格可能会更改。该文件是1999年10月7日的第1版手册。它介绍了EP-3VB/6VB产品的特点和特性。

该文件介绍了产品和公司名称的商标或注册商标，并说明了这些规格可能会变更。用户须知中指出了产品不得未经授权进行复制、传输、抄写、储存或翻译。此外，文档还声明了EPoX不对产品提供任何形式的保证，并且对于任何间接、特殊、偶然或后果性损害不承担责任。

这是一份英特尔的用户手册，介绍了A Soc Socket 7 Processor based mainboard (100/66 MHz)的特点特性

该文档是关于A Socket 370 Processor based mainboard (100/66 MHz)的用户手册

新一代高压功率MOSFET，RDS(on)小至0.19欧姆，ID高达20.7安培，应用于各种高压开关电源、DC/DC转换器等场合。

SPP20N60CFD Cool MOS™ 功率晶体管, 额定最大电压650V, 导通电阻0.22欧姆, 连续电流20.7安培, 脉冲电流52安培, 反向恢复电荷极低.

该文档介绍了SPP20N60CFD Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的RDS(on)，超低的门电荷，周期性雪崩耐压，极高的dv/dt耐压，高峰值电流能力，内在快速恢复二极管等。

该文档介绍了SPP20N60S5和SPB20N60S5两款Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、TO 220封装中最佳的RDS(on)、超低的栅极电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低的有效电容和改进的跨导。

SPP20N60S5/SPB20N60S5 是一款高压功率晶体管，其特点是 RDS(on) 为 0.19 欧姆，ID 为 20 A，采用 TO220 和 TO263 封装。

该文档介绍了鼎好公司的SPP20N65C3、SPA20N65C3和SPI20N65C3三款Cool MOS™功率晶体管的技术参数和特性。这些产品具有高压技术、低RDS(on)、超低栅极电荷、高峰值电流能力等特点。

该文件介绍了基于AMD Soc处理器的主板，支持PC1600/PC2100/PC2700 DDR内存模块，其中包括了关于POST端口的常见问题和用户手册。

这是一份关于AMD Socket A Processor based mainboard的用户手册

该数据表主要提供SPP24N60C3的数据信息，包括最大电压、电流、功耗等

SPP24N60C3是一款高压功率晶体管，其特点是新颖的革命性高压技术，在TO220封装中具有全球最佳的RDS(on)，超低栅极电荷，周期性雪崩额定，极端dv/dt额定，超低有效电容和改进的传导率。

该用户手册介绍了磐正超磐手AMD Socket AM2 (940-pin)主板的使用方法，包括产品包装、主板介绍、规格、安装、BIOS设置、驱动及应用程序等内容。

SPP3467是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟道技术生产。这种高密度工艺专门针对最小化开启状态电阻而定制。这些器件特别适合于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路，并且在非常小的轮廓表面贴装封装中需要低的在线功耗损失。

SPP3467是一款P-Channel增强型MOSFET，采用高密度的DMOS沟道技术生产。该器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路，需要较小外形尺寸和低线路功耗。

TLE 6220 GP 是德州仪器生产的一款四路低侧开关，具有短路保护、过温保护、过压保护等功能，工作电压范围为 4.5-5.5V，输出电流为 1A（四路同时导通），主要应用于汽车和工业系统