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ISL6614是一种集成了两个ISL6613 MOSFET驱动器的器件，专门设计用于在多相交错降压转换器拓扑中驱动两个独立的功率通道。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET组合使用，形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。ISL6614同时驱动上下两个门极，驱动电压范围为5V至12V，这种驱动电压提供了在栅电荷和导通损耗之间优化应用的灵活性。还集成了先进的自适应零串通保护功能，以防止上下MOSFET同时导通并最小化死区。这些产品在VCC超过其启动阈值之前就具有过压保护功能，在此阈值下，PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的栅极，从而限制了转换器的输出电压。

ISL6612B, ISL6613B高频MOSFET驱动器可驱动上、下电源N通道MOSFET, 适用于IBA系统DC/DC转换器

ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器，专门设计用于在同步整流型降压转换器拓扑中驱动上电和下功率N通道MOSFET。

ISL6611A是一种具有集成驱动器和相位泄露功能的相位倍增器。它可以通过单个PWM输入调制两相电源，将Intersil的ISL63xx多相控制器支持的相位数翻倍。同时，当使能引脚（EN_PH）被拉低时，PWM线可以被拉高，以禁用相应相位或更高相位，从而简化了相位泄漏的实现。为了简化布局并提高系统性能，该器件集成了两个5V驱动器（ISL6609）和电流平衡功能。ISL6611A旨在最小化控制器和驱动器之间的模拟信号数量，适用于高相位计数和可扩展应用。不需要常规级联配置中通常见到的公共COMP信号，这提高了抗干扰性能并简化了布局。此外，与传统的级联技术相比，ISL6611A具有低零件数量和低成本优势。该IC由单一低压供电（5V）偏置，最大限度地降低了在高MOSFET栅电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。通过内部低正向降压二极管实现了上升驱动器的自适应断线保护，从而降低了实施成本和复杂性，并允许使用性能更高、成本更低的N沟MOSFET。

ISL6610, ISL6610A 双同步整流MOSFET驱动器

ISL6609, ISL6609A是Intersil公司的一款高频MOSFET驱动器，专门用于驱动两个N通道功率MOSFET，以构建同步整流降压转换器拓扑。该驱动器与Intersil ISL63xx或ISL65xx多相PWM控制器配合使用，可形成一个完整的单级核心电压调节器解决方案，在高频开关时具有高效率性能，适用于先进的微处理器。该IC由单个低压电源（5V）偏置，可最大限度地减少高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每个驱动器都能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。通过内部低正向压降二极管实现上栅极驱动器的引导，降低了实现成本、复杂性，并允许使用高性能、高性价比的N通道MOSFET。集成了自适应开关保护，防止两个MOSFET同时导通。ISL6609, ISL6609A的下栅极驱动器典型吸收电流为4A，可增强下MOSFET栅极在PHASE节点上升沿时的保持抑制能力，防止由于开关节点的高dv/dt而导致的下MOSFET的自激开关造成的功率损失。ISL6609, ISL6609A还具有一个识别高阻状态的输入，与Intersil多相PWM控制器配合使用，可防止受控输出上的负瞬变。

ISL6608 is a high frequency, MOSFET driver optimized to drive two N-Channel power MOSFETs in a synchronous- rectified buck converter topology.

ISL6605是Intersil公司推出的一款高频、MOSFET驱动器，专门优化为在同步整流Buck转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。

ISL6596是一个高频率的MOSFET驱动器，优化用于驱动两个N通道功率MOSFET在同步降压转换器拓扑中。该驱动器与Intersil的多相降压PWM控制器结合，形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案，具有高效率性能和高开关频率，适用于先进微处理器。该IC由单个低电压供应（5V）偏置，最大限度地减小了在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每个驱动器能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。通过内部低正向压降二极管实现了上栅极驱动器的引导，减少了实现成本和复杂性，并允许使用性能更高、成本更低的N通道MOSFET。集成了自适应防通电保护，以防止两个MOSFET同时导通。ISL6596具有4A的典型下位栅极驱动器沉降电流，增强了在相节点上升沿期间下位MOSFET的栅极抑制能力，防止由于开关节点的高dV/dt而导致下位MOSFET的自开启引起的功率损失。ISL6596还具有识别高阻态输入的功能，与Intersil多相3.3V或5V PWM控制器配合使用，以防止操作暂停时对控制输出电压产生负激变。

ISL6594D是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动上级和下级功率N通道MOSFET，其拓扑结构为同步整流降压转换器

ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动上功率和下功率N通道MOSFET，以构建同步整流降压转换器拓扑。

ISL6210是Intersil公司推出的双电源同步整流MOSFET驱动器，适用于同步整流buck转换器拓扑中的双独立功率通道。ISL6210与Intersil ISL62xx多相PWM控制器配合使用，可为高级微处理器提供高开关频率下的高效率单级核心电压调节器解决方案。ISL6210采用单低压电源(5V)偏置，可在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中最小化驱动器开关损耗。ISL6210的每个驱动器可以驱动3nF负载，上升/下降时间小于10ns。通过内部低正向压降二极管实现上门驱动器的引导，降低了实施成本、复杂性，并允许使用高性能、高性价比的N通道MOSFET。集成了自适应射频干扰保护功能，防止两个MOSFET同时导通。ISL6210为下门驱动器提供4A典型吸收电流，增强下MOSFET门极在PHASE节点上升沿时的保持能力，防止由于开关节点高dv/dt导致的下MOSFET自开启造成的功耗损失。ISL6210还具有可识别高阻状态的输入，与Intersil多相PWM控制器配合使用，可防止在操作过程中控制输出电压上的负瞬态。

ISL6209是Intersil推出的高频双MOSFET驱动器，专为在手机计算应用中以同步整流降压转换拓扑驱动两个N通道功率MOSFET而优化。与Intersil多相降压PWM控制器（如ISL6216、ISL6244和ISL6247）配合使用，该驱动器可为高级移动处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案。ISL6209的下拉栅极驱动器具有4A典型电流。4A典型电流能够在PHASE节点上升沿期间保持下MOSFET栅极，从而防止PHASE节点高dv/dt引起的开关损耗。工作电压符合移动计算机电源中常用的MOSFET 30V击穿电压。ISL6209还具有三态PWM输入，与Intersil多相PWM控制器配合使用，可在关断输出时防止输出电压产生负暂态。这种功能消除了通常在微处理器电源系统中用来保护微处理器的肖特基二极管因反向输出电压损坏。ISL6209能够高效地在高达2MHz的频率下切换功率MOSFET。每个驱动器能够以8ns的传播延迟和不到10ns的转换时间驱动3000pF负载。该产品在上栅极上实现了引导。

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ISL6208是一款高频率、双通道MOSFET驱动器，专为驱动同步整流型降压转换器拓扑中的两个N沟道功率MOSFET而优化。它特别适用于需要高效率和卓越热性能的移动计算应用。该驱动器与英飞凌多相降压PWM控制器配合使用，可为先进的移动微处理器构成完整的单级核心电压调节器解决方案。ISL6208的下拉门极驱动器具有4A典型电流。在此电流下，下MOSFET门极可以在相节点上升沿时保持关闭状态。这可防止由于相电压dv/dt过高而导致的射穿功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用的MOSFET 30V击穿电压相匹配。ISL6208还具有三态PWM输入，与英飞凌的多相PWM控制器配合使用，可防止在CPU关机时输出负电压。此特性消除了微处理器电源系统中通常出现的保护型肖特基二极管。利用ISL6208，可高效地切换MOSFET门极，最高频率为2MHz。每个驱动器能够以8ns的传播延迟驱动3000pF负载，转换时间低于10ns。引导电路采用内部肖特基二极管实现。这可降低系统成本和复杂性，同时允许使用更高性能的MOSFET。

ISL6207 is a high frequency, dual MOSFET driver, optimized to drive two N-Channel power MOSFETs in a synchronous-rectified buck converter topology in mobile computing applications.

HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B是高频、双MOSFET驱动器，专门设计用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率N通道MOSFET。

The HIP6602B is a high frequency, two power channel MOSFET driver specifically designed to drive four power N-Channel MOSFETs in a synchronous rectified buck converter topology.

ISL6144是高压ORing MOSFET控制器，它和合适的N通道MOSFET可以替代高电流应用中的功率ORing二极管，提高功率分配效率和可用性

该文档是Lexmark X642e激光多功能一体机的用户手册，介绍了产品的功能特性、使用方法等。