TEXAS INSTRUMENTS SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690 数据手册 SN74V3640，SN74V3650，SN74V3660，SN74V3670，SN74V3680，SN74V3690 1024 x 36, 2048 x 36, 4096 x 36, 8192 x 36, 16384 x 36, 32768 x 36 3.3-V CMOS FIFOs，具有可选的深度和带宽，可满足不同应用的需求。这些器件具有低功耗和高性能，使其成为通信，消费电子和计算应用的理想选择。
AUK SQ6601PT DATA SHEET SQ6601PT是一种混合集成电路，由功率MOSFET和控制器IC组成，适用于间接反馈准谐振（包括低频PRC）反激式开关电源（SMPS）应用。该IC实现了高效率、低噪音、小型化和标准化的电源系统，减少了外部元件数量并简化了电路设计。
ST ST62T53C/T60C/T63C ST62E60C 8-BIT OTP/EPROM MCUs WITH A/D CONVERTER, SAFE RESET, AUTO-RELOAD TIMER, EEPROM AND SPI 数据手册 ST62T53C/T60C/T63C/T6E60C是ST公司生产的8位OTP/EPROM MCU，具有A/D转换器、安全复位、自动装填定时器、EEPROM和SPI等功能。
ST STD10NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1Ω - 10A DPAK STripFET™ POWER MOSFET 数据手册 该数据表是STD10NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1Ω - 10A DPAK STripFET™ POWER MOSFET 的数据表。该 MOSFET 采用 STMicroelectronics 独有的 STripFET™ 工艺，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它非常适合用作电信和计算机应用的先进高效率、高频隔离 DC-DC 转换器的主开关。它还适用于对栅极驱动要求较低的任何应用。
SGS-THOMSON STH60N10/FI STW60N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR 数据手册 该文件介绍了STH60N10/FI STW60N10 N沟道增强型功率MOS晶体管的特点和特性，包括低电阻、高电流能力、高温工作等。适用于高电流、高速开关、电源转换器、马达控制、音频放大器等应用。
ST STPS80L60CY POWER SCHOTTKY RECTIFIER 数据手册 STPS80L60CY是一款功率肖特基整流器，具有非常小的导通损耗、可忽略的开关损耗、极快的开关速度、低正向电压降和低热阻。适用于CAD计算机和服务器，用于低压、高频开关电源、自由轮和极性保护应用。
CONTEK TA7611AP DATA SHEET 该文档主要介绍了Contek TA7611AP集成电路的特点特性，包括高增益宽频IF放大器、增益衰减、负视频输出信号、快AGC动作、视频部分开关VTR SW等。
TEXAS INSTRUMENTS THS4041, THS4042 165-MHz C-STABLE HIGH-SPEED AMPLIFIERS 数据手册 THS4041/2 165MHz C-Stable High-Speed Amplifiers是TI公司生产的一款单/双通道、高性能、高带宽、低失真、低功耗、可驱动任意电容负载的视频放大器。
TEXAS INSTRUMENTS TIBPAL16R4-10C, TIBPAL16R6-10C, TIBPAL16R8-10C TIBPAL16R4-12M, TIBPAL16R6-12M, TIBPAL16R8-12M HIGH-PERFORMANCE IMPACT-X PAL CIRCUITS Data Sheet 该文档是关于TIBPAL16L8-10C, TIBPAL16R4-10C, TIBPAL16R6-10C, TIBPAL16R8-10C TIBPAL16L8-12M, TIBPAL16R4-12M, TIBPAL16R6-12M, TIBPAL16R8-12M HIGH-PERFORMANCE IMPACT-X PAL CIRCUITS产品的生产数据，包含产品的特点特性，如高性能、功能等，以及产品的型号、品牌等信息。
TEXAS INSTRUMENTS TL3116, TL3116Y ULTRA-FAST LOW-POWER PRECISION COMPARATORS 数据手册 TL3116是一种超快速比较器，可直接与TTL逻辑接口，可从单一5V电源或双±5V电源供电。输入共模电压可延伸到负电源，适用于地感应用。具有极低的失调电压和高增益，适用于精密应用。具有可锁存的互补输出。
ASI UHBS60-1 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该数据表是关于ASI UHBS60-1的参数规格，包括BVCBO、BVCES、BVCEO、BVEBO、ICES、ICBO、hFE、Cob、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VCES、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等。
