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该产品是一款N沟道电源MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有极低的开关电阻，可用于要求高功率效率的应用场景，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理

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HUF76137P3, HUF76137S3S 75A, 30V, 0.009 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low- voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA76137.

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HUF76139P3/S3S是Intersil生产的N通道逻辑电平功率MOSFET，具有75A、30V、0.0075 Ohm的性能，适用于需要高功效的应用场景，例如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理

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FDS3601是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款1.3A，100V的N-Channel MOSFET，它具有快速的开关速度、低的门极电荷和高性能的沟槽技术，非常适合用于DC/DC转换器。

该文档介绍了2003年Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDS7066N7型号的N沟道MOSFET功率器件。该器件采用了低侧同步整流操作，具有极低的RDS(ON)值和高效能的特点。适用于同步整流和DC/DC转换器等应用。

该数据表提供了 FEP16AT - FEP16JT 16 安培玻璃钝化超快速整流器的绝对最大额定值、电气特性、特征和参数。

FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906 是PNP 多芯片通用放大器，设计用于10 µA 至 100 mA 的集电极电流的通用放大器和开关应用。

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这份文件介绍了Fairchild Semiconductor International于2000年4月发布的FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关电源。

该文档介绍了某品牌产品的特点特性，包括品牌、型号、功能、价格等信息。

该产品为一款3.2x1.6mm SMD CHIP LED LAMP，具备低功耗、宽视角等特性，非常适合用于背光和指示器

这份PDF文件介绍了BZX2C3V6到BZX2C200V的2瓦特稳压二极管的特点和特性，包括宽电压范围、玻璃封装、高温焊接等。