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SIEMENS HYM 322005S/GS-50/-60 Data Sheet

该文档介绍了Semiconductor Group 1 2M × 32位动态RAM模块的特点和特性，包括快速访问和周期时间、超级页面模式-EDO能力、低功耗、刷新方式、接口兼容性等。

IDT IDTQS3VH2861 Data Sheet

qs3vh2861是idt公司生产的一款高带宽开关芯片，具有10位流线型引脚排列，25欧姆开关阻抗和1.35ns传播延迟，适用于线路匹配和低噪声环境。该芯片采用有源低启用控制，在开启状态下可以通过5v电压，在关闭状态下可以隔离5v电压，是高速数据总线的理想选择。

E-SWITCH SERIES R6 SWUTCHES

该文件介绍了E-Switch R6系列开关的规格和特性，包括额定电流、机械寿命、电气寿命、接触电阻、绝缘电阻、介电强度等。该开关的外壳和摇杆采用尼龙材料制造，接触表面为硬币银，终端为镀银铜合金。该开关通过了UL、CSA、VDE、Semko、Nemko、Demko、Fimko等安全标准认证。可以通过不同的配置选项来定制开关，如外壳颜色、摇杆颜色、终端类型等。

FUJITSU MEDIA DEVICE F5/F6 Series (K2 type) DATA SHEET

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FAIRCHILD FDD6688/FDU6688 数据手册

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FAIRCHILD FDS6892AZ 数据手册

FDS6892AZ是Fairchild Semiconductor生产的双N通道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET，适用于低电压和电池供电的应用，在这些应用中需要低的线路功耗和快速切换。

G-LINK GLT41016 64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT

GLT41016 64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT 是 G-Link Technology Corporation 发布的一种高性能 CMOS 动态随机存取存储器。它具有 65,536 字节 x 16 位组织、快速访问时间和周期时间、双 CAS 输入、低功耗消耗、读取 - 修改 - 写入、RAS - 仅限刷新、CAS - 前刷新、隐藏刷新和测试模式功能、256 刷新周期每 4ms、单 5.0V±10% 电源供应、所有输入和输出都兼容 TTL 以及扩展数据输出 (EDO) 页面模式操作。

VISHAY GS6332 and GS6333 数据手册

本文档介绍了GS6332和GS6333两款系统监控芯片，这两款芯片均采用SOT-23封装，工作电流小于3µA，支持1.8V和2.5V两种供电电压，可监控电源电压是否正常，并在电源电压异常时向主处理器发送复位信号。

VISHAY GSOT03 to GSOT36 数据手册

这份文件介绍了VISHAY GSOT03到GSOT36 ESD保护二极管的特性。

MICRONAS HAL556, HAL560, HAL566 Two-Wire Hall Effect Sensor Family

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HITACHI HD74ALVCH16831 1-to 4 Address Register / Driver with 3-state Outputs

HD74ALVCH16831是一个1到4位地址寄存器/驱动器，适用于2.3V至3.6V的VCC操作。该设备可用于驱动四个独立的内存位置的单个地址总线的应用。根据选择（SEL）输入的逻辑电平，可将HD74ALVCH16831用作缓冲器或寄存器。当SEL为逻辑高时，设备处于缓冲模式。输出跟随输入，并由两个输出使能（OE）控制。每个OE控制两组九个输出。当SEL为逻辑低时，设备处于寄存器模式。寄存器是一个边沿触发的D型触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变上升沿时，存储在A输入处的数据被存储在内部寄存器中。OE控制在缓冲模式下的操作与之相同。当OE为逻辑低时，输出处于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）。当OE为逻辑高时，输出处于高阻抗状态。为了在上电或掉电时保持高阻抗状态，OE应通过上拉电阻连接到VCC；电阻的最小值由驱动器的电流下沉能力确定。SEL和OE不影响触发器的内部操作。在输出处于高阻抗状态时，可以保留旧数据或输入新数据。