SST 2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A Data Sheet(1) 该文档介绍了硅存储技术公司的产品特点特性,包括器件的组织结构、单电压读写操作、优越的可靠性、低功耗、扇区擦除和块擦除能力、快速读取访问时间、地址和数据锁存、高速擦写和单词编程、自动写入时序、写入结束检测、CMOS I/O兼容性、JEDEC标准和可用的封装。
ST STM6321/6322 STM6821/6822/6823/6824/6825 5-Pin Supervisor with Watchdog Timer and Push-button Reset 数据手册 1
ST STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085Ω - 80A - TO-247 STripFET ” POWER MOSFET 数据手册 这是一款STMicroelectronics公司的STW80NE06-10型号的N-CHANNEL 60V - 0.0085Ω - 80A - TO-247 STripFET ” POWER MOSFET,它具有非常低的导通电阻RDS(on),可以用于电磁阀和继电器驱动、电机控制、音频放大器、DC-DC转换器等场合。
TOKO TK6592x Data Sheet TK6592x是托科公司推出的一款用于电池供电系统的微型电致发光灯驱动器,该驱动器集成了升压转换器和灯驱动器,可在电池电压波动的情况下为灯提供恒定输出功率。
TEXAS INSTRUMENTS TLC2652, TLC2652A, TLC2652Y Advanced LinCMOS PRECISION CHOPPER-STABILIZED OPERATIONAL AMPLIFIERS 数据手册 TLC2652, TLC2652A, TLC2652Y 高精度开关稳压运算放大器
MITSUBISHI THYRISTOR MODULES TM90SA-6 MEDIUM POWER GENERAL USE NON-INSULATED TYPE 该文件介绍了MITSUBISHI THYRISTOR MODULES TM90SA-6中功率通用型非绝缘型号的特点和特性,包括平均通态电流、重复峰值反向电压、重复峰值关断电压等。
TEXAS INSTRUMENTS TPS2220A, TPS2223A TPS2224A, TPS2226A 数据手册 TPS2223A、TPS2224A和TPS2226A CardBus™电源接口开关提供一个集成的功率管理解决方案,用于两个PC卡插座。TPS2220A是该系列设备的单槽选项。这些设备允许对3.3 V、5 V和12 V进行受控分布,以提供给每个卡槽。电流限制和热保护功能消除了由于过流或过热而导致卡故障的可能性。
TEXAS INSTRUMENTS TPS60300, TPS60301, TPS60302, TPS60303 SINGLE-CELL TO 3.0-V/3.3-V, 20-mA DUAL OUTPUT, HIGH-EFFICIENCY CHARGE PUMP 数据手册 TPS6030x是一种单电池至3.0V/3.3V的高效率电荷泵,具有可调的3V或3.3V输出电压和高达20mA的输出电流。它适用于1.2V电池电压,并具有高达90%的功率转换效率。该产品不需要电感,只需要5个小型1uF陶瓷电容器即可构建完整的高效率DC/DC电荷泵转换器。
TEXAS INSTRUMENTS TPS77501, TPS77515, TPS77518, TPS77525, TPS77533 WITH RESET OUTPUT TPS77601, TPS77615, TPS77618, TPS77625, TPS77628, TPS77633 WITH PG OUTPUT FAST-TRANSIENT-RESPONSE 500-mA LOW-DROPO 该文档介绍了TPS775xx和TPS776xx系列产品的特点和特性,包括快速瞬态响应、500mA低压差稳压器、可调节输出和固定输出版本等。
VISHAY TZM5221B...TZM5267B 数据手册 TZM5221B 和 TZM5267B 都是 Vishay Telefunken 生产的硅 Z 二极管。它们具有非常尖锐的反向特性、非常高的稳定性、与 1N5221B 和 1N5267B 的设备相同的电气数据、较低的反向电流水平以及 ±5% 的 VZ 公差。它们的应用包括电压稳定。
ZMD U630H16 HardStore 2K x 8 nvSRAM U630H16是一款高速静态RAM (25, 35, 45 ns),具有非易失性电可擦除PROM (EEPROM) 元件,该元件集成在每个静态存储单元中。SRAM可以被读取和写入无限次,而独立的非易失性数据则驻留在EEPROM中。数据从SRAM传输到EEPROM (STORE操作),或从EEPROM传输到SRAM (RECALL操作),都通过NE引脚的状态触发。