ISSI IS61C256AH 32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 数据手册 ISSI IS61C256AH是一款高性能、低功耗的32K x 8 SRAM。它采用ISSI的高性能CMOS工艺，具有10ns的高速访问时间，并且在待机模式下功耗可低至250µW（典型值）
Agilent Photo-Elastic Modulator Infrared Reflection Absorption Spectroscopy Accessory for 600-IR Series Spectrometers manual 该文件介绍了600-IR系列光谱仪的PEM-IRRAS附件，包括安装说明、安全说明、注意事项等
Lattice ispLSI 5256VA In-System Programmable 3.3V SuperWIDE™ High Density PLD ispLSI ® 5256VA In-System Programmable 3.3V SuperWIDE™ High Density PLD 是一款高密度、高性能、低功耗的 PLD，具有 12000 个 PLD 门/256 个宏单元，可通过 3.3V 电源供电，支持 3.3V/2.5V 可选 I/O，具有高达 192 个 I/O 引脚、256 个寄存器和高性能全局互连。
Agilent Windows 7 Professional (64-bit) for MassHunter Workstation Setup Guide 本手册介绍在Windows 7 Professional（64位）上安装Agilent MassHunter软件所需的操作系统设置。
IXYS IXFN 26N90 数据手册 26N90和25N90是IXYS公司的MOSFET产品，具有低RDS(on)、高功率密度、易于安装等特点，应用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源供应器、DC斩波器、温度和照明控制等领域。
SPC SIZE A 3961Data Sheet 这份PDF文件介绍了一种红色的无电线连接装置的特点特性。该装置由铜制成的裸部分和多层聚烯烃制成的无缝管组成。铜制成的裸部分经过电镀锡处理，多层聚烯烃制成的无缝管具有熔融的、整体的内壁。该装置的可连续工作温度范围为-67°F（-55°C）到230°F（110°C）。该装置的抗张强度为2200 PSI，最终伸长率为500%，2%切线模量为27,000 PSI，比重为1.00 Max，纵向变化为5%，介电强度为1000 V/Mil，体积电阻率为10 Ohm-CM，不腐蚀，水吸收率为<0.1%。
Agilent 6200 Series TOF and 6500 Series Q-TOF LC/MS System Quick Start Guide B.03.01 Agilent 6500系列Q-TOF LC/MS系统快速入门指南，介绍了如何设置和使用Agilent 6500系列Q-TOF LC/MS系统
Agilent 6300 Series Ion Trap LC/MS Concepts Guide 本手册介绍了Agilent 6300 Ion Trap LC/MS系统的基本原理，适用于Ion Trap LC/MS系统的用户和工程师。
Agilent 6300 Series Ion Trap LC/MS Quick Start Guide 本手册介绍了Agilent 6300系列离子阱LC/MS系统的使用方法，包括硬件安装、软件安装、数据采集和分析等。
Samsung K4S643232E Data Sheet 该文件介绍了一款名为K4S643232E的CMOS SDRAM产品，具有高数据传输率、同步设计、可编程的传输长度和延迟等特点，适用于高带宽、高性能的内存系统应用。
Samsung K7N803601B K7N801801B Data Sheet 256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM是韩国三星电子生产的一款内存芯片，适用于3.3V电压，最高频率可达167MHz。
Samsung KM6164000B Family Data Sheet 该数据表提供了KM6164000BL-L 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM产品的详细信息，包括产品的封装类型、引脚排列、管脚功能、接口、电源、供电电压、工作温度范围、存储温度范围、数据保持时间、数据保持电压、静态电流、动态电流、功耗、相应时序等。
