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该文件是戴尔(Dell) Photo All-In-One Printer 964所有者手册，介绍了打印机的使用方法、软件操作、维护和故障排除等内容。

该文件介绍了M28C16 16K (2K x 8) 并行EEPROM的特点和特性，包括快速访问时间、低功耗、快速写入周期、数据保护等。

M29F102BB是单供电闪存，支持1Mbit（64Kb x16，启动块），具有以下特点：单5V±10%供电电压，用于编程、擦除和读取操作；35ns的访问时间；8µs的编程时间，每个字典典型；5个存储块，1个启动块（底部位置），2个参数块和2个主块；嵌入式字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位；擦除暂停和恢复模式，可在擦除暂停期间读取和编程另一个块；解锁旁路编程命令，加快生产/批量编程；临时块保护模式；待机和自动待机，每个块支持100,000次编程/擦除周期；与M28F102兼容，引脚排列和读取模式；20年的存储保留，缺陷率低于1ppm/年；电子签名，制造商代码为0020h，底部设备代码M29F102BB为0097h；兼容无铅焊接工艺，提供无铅版本。

M29DW324DT M29DW324DB 32 Mbit (4Mb x8或2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 是M29DW324DB产品的详细信息手册

M29F400BT，M29F400BB为4Mbit（512Kb x 8或256Kb x 16，Boot块）单供电闪存，支持5V±10%电压，读取、编程、擦除时间分别为45ns、8µs、20年数据保留时间，产品特点包括11个存储块、嵌入式字节/字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、解锁旁路编程命令、临时块解保护模式、低功耗

Samsung M366S2953MTS是一种64M位x 64同步动态RAM高密度内存模块。它具有同步设计，可实现精确的周期控制。可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。

该文件介绍了DDR SDRAM 256MB、512MB和1GB Registered DIMM的规格和特性。这些模块采用256Mb E-die (x4, x8)技术，具有72位ECC校验和1,700 / 1,200mil高度。供应商查询信息包括不同容量和组织的模块的型号和规格。

M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 具有宽 x16 数据总线，可实现高带宽。供电电压为 VDD = 2.7 至 3.6V 的核心电源电压，用于程序、擦除和读取操作；VDDQ = 1.8V 至 VDD 用于 I/O 缓冲区。它支持同步/异步读取，即同步突发读取、异步随机读取、异步地址锁定控制读取和页读取。访问时间为同步突发读取高达 56MHz；异步页模式读取 90/25ns 和 110/25ns；随机读取 90ns，110ns。它具有 16 字写入缓冲区和 18µs 字有效编程时间。它具有 64 个均匀的 32 KWord 存储块、块保护/取消保护、程序和擦除暂停、128 位保护寄存器、公共闪存接口和 100,000 次程序/擦除周期/块。电子签名为制造商代码：0020h - 设备代码 M58LW032A：8816h。它有 TSOP56（N）14 x 20 毫米 TBGA64（ZA）10 x 13 毫米 TBGA 两种封装。

M5M5256DFP,VP,RV是三菱电气生产的262,144-bit CMOS静态RAM，使用3个多晶硅CMOS技术，具有高密度和低功耗。它是理想的用于需要简单接口的存储系统。

这是一份关于MITSUBISHI LSIs 262144-BIT CMOS STATIC RAM的文档。该RAM具有262,144位，使用32,768字节和8位，采用高性能3聚硅CMOS技术制造。它具有单一+5V电源供应、无时钟、无刷新、直接TTL兼容、三态输出等特点。此外，它还具备电池备份能力和低待机电流等特性。

M5M5256DP,KP,FP,VP,RV是262,144-bit CMOS static RAMs organized as 32,768-words by 8-bits which is fabricated using high-performance 3 polysilicon CMOS technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS periphery results in a high density and low power static RAM. Stand-by current is small enough for battery back-up application. It is ideal for the memory systems which require simple interface. Especially the M5M5256DVP,RV are packaged in a 28-pin thin small outline package.Two types of devices are available, M5M5256DVP(normal lead bend type package), M5M5256DRV(reverse lead bend type package). Using both types of devices, it becomes very easy to design a printed circuit board.

该文件介绍了M61515FP声音处理器IC的特点和特性，包括内置的QSurround声音技术、电子音量控制、2段音调控制、5输入选择器、供电电压范围等。

M54/74HC690/691/692/693是一种高速CMOS计数器/寄存器，采用硅门C2MOS技术制造。它们具有LSTTL的高速性能和真正的CMOS低功耗。内部电路由3个级别组成，包括缓冲输出，具有高噪声抑制和稳定输出。这些器件在一个20针封装中集成了同步计数器、四位D型寄存器和四路二线到一线多路复用器，具有三态输出。计数器可以从数据输入进行编程，并具有使能P和使能T输入以及易于扩展的串行传递输出。寄存器/计数器可选择计数输出或并行寄存器输出。

M95256和M95128是互换的256Kbit和128Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高时钟速率，高达10MHz时钟速率，5ms写入时间。该数据表提供了M95256和M95128的规格、封装、引脚图和逻辑图。

MAX1836/MAX1837是高效降压转换器，可从最高24V的输入电压提供预设的3.3V或5V输出电压。它们具有可调节的输出电压和高效率的控制方案，适用于低成本、低功耗、空间受限的应用。

MAX2264/MAX2265/MAX2266 功率放大器是为在 900MHz 范围内运行的 IS-98 基于 CDMA、IS-136 基于 TDMA 和 PDC 蜂窝电话而设计的

该文档介绍了MAX2642/MAX2643低噪声放大器的评估板，包括评估板的特点、使用方法、元器件清单等信息。

该文件是MAX2825/MAX2826/MAX2827评估套件的概述，介绍了套件的特点特性，包括提供50Ω SMA连接器、On-Board Line Drivers和Voltage Reference、PC Control Software等。

MAX364/MAX365是精密、四路、单刀单掷（SPST）模拟开关。MAX364具有四个常闭（NC）开关，MAX365具有四个常开（NO）开关。这两个产品都具有低通道导通电阻（小于85Ω），保证在通道之间匹配不超过2Ω，并且在模拟信号范围内保持平坦（最大∆9Ω）。这两个产品还具有低泄漏电流（+25°C下小于500pA，+85°C下小于4nA）和快速切换（开启时间小于250ns，关闭时间小于170ns）。MAX364/MAX365采用Maxim的新改进的44V硅门工艺制造。设计改进保证了极低的电荷注入（10pC），低功耗（35µW）和大于2000V的静电放电（ESD）能力。44V的最大击穿电压允许处理全电压范围的模拟信号。这些单片开关可以在单个正电源（+10V至+30V）或分裂电源（±4.5V至±20V）下工作，同时保持CMOS逻辑输入兼容性和快速切换。CMOS输入提供了降低的输入负载。

MAX4144/MAX4145/MAX4146差分线路接收器提供无与伦比的高速度、低失真性能。采用三个运算放大器测量放大器架构，这些IC具有完全对称的差分输入和单端输出。它们以±5V电源供电，能够驱动150Ω负载至±3.7V。MAX4144具有内部设置的闭环增益为+2V/V。MAX4145针对增益从+1V/V到+10V/V进行了优化，而MAX4146针对增益从+10V/V到+100V/V进行了优化。MAX4145/MAX4146需要单个外部电阻来设置闭环增益。这些放大器使用激光修整、匹配的薄膜电阻来提供高达90dB的10MHz共模抑制比（CMR）。采用电流反馈技术，MAX4144实现了130MHz带宽和1000V/µs的斜率。MAX4145在1V/V的闭环增益下工作时，实现了180MHz的带宽和600V/µs的斜率，而MAX4146在+10V/V的增益下具有70MHz的带宽和800V/µs的斜率。出色的差分增益/相位和噪声规格使这些放大器成为各种视频和射频信号处理应用的理想选择。