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華擎 P67 Pro3 主板 使用手册

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ASRock P67 Pro3 Motherboard 使用手册

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ASRock P67 Pro3 Motherboard 使用手册

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Alliance Semiconductor ASM3P623S00A/B/C/D/E/F 数据手册

ASM3P623S00A/B/C/D/E/F是一款高性能的低抖动时钟缓冲器，其特点是输入-输出传播延迟为零，输出偏斜小于250ps，设备-设备偏斜小于700ps。

ASRock P67 Pro3 Motherboard 使用手册

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PHILIPS 74ALVT16541 2.5V/3.3V 16-bit buffer/driver (3-State) 数据手册

该数据手册详细介绍了74ALVT16541的功能特性,包括16位通用总线接口、5V I/O兼容性、3状态缓冲器、输出能力、TTL输入和输出切换电平、输入和输出接口能力到5V电源系统、Bus-hold数据输入、活插拔/抽取、上电3状态、输出连接到5V总线时无总线电流负载、Latch-up保护超过500mA per JEDEC Std 17、ESD保护超过2000V per MIL STD 883 Method 3015和200V per Machine Model等

EPCOS B32656S Data sheet

该文件介绍了EPCOS AG所生产的B32656S系列金属化聚丙烯膜电容器的特点和特性。该电容器具有高脉冲强度和高接触可靠性，电容值稳定，适用于IGBT噪音滤波等应用。其结构采用聚丙烯膜介质，通过内部串联连接方式制造，外壳采用塑料材料，具有良好的密封性能。终端采用镀锡铜材料，具有很低的电感。该系列产品有多种规格可选，额定电压范围广。

EPCOS B7756 Data Sheet

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BSI BS62LV2006 说明书

BS62LV2006 是一款高性能、超低功耗 CMOS 静态随机访问存储器，组织为 262,144 字节 x 8 位，并在 2.4V 至 5.5V 的宽电源电压范围内工作。先进的 CMOS 技术和电路技术同时提供高速度和低功耗特性，典型 CMOS 待机电流为 0.3uA 在 3.0V/25oC 和最大访问时间为 55ns 在 3.0V/85oC。通过活动低片选 (CE1)、活动高片选 (CE2) 和活动低输出使能 (OE) 以及三态输出驱动器提供简便的内存扩展。BS62LV2006 具有自动电源关闭功能，在片选时显著降低功耗。BS62LV2006 提供 DICE 形式、JEDEC 标准 32 针 450mil 塑料 SOP、8mm x 13.4mm STSOP 和 16mm x 16mm TSSOP 封装。

BSI BS62UV1027 说明书

BS62UV1027是一款高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有广泛的工作电压范围和高速访问时间。该产品具有自动断电功能，在芯片取消选择时可以显著降低功耗。

BSI BS62UV2006 Data Sheet

该文档介绍了一款名为BS62UV2006的高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有宽电压操作范围、超低功耗、高速访问时间、自动断电等特点。

intersil CA3262A/CA3262 说明书

CA3262和CA3262A用于将低电平逻辑与高电流负载相互连接。每个电源驱动器都有四个反相开关，由一个非反相逻辑输入级和一个反相低侧驱动器输出级组成。所有输入都与5V TTL / CMOS逻辑兼容，并具有公共使能输入。每个输出设备都具有独立的电流限制（ILIM）和热限制（TLIM），以防止过载条件。从每个输出（成对）连接到Clamp引脚的转向二极管可以与外部稳压二极管一起使用，以保护IC免受感性负载开关引起的过电压瞬变。为了允许从芯片传导最大的热量，DIP，PLCC和SOIC封装上的所有接地引脚直接连接。

intersil CA3306/CA3306A/CA3306C 说明书

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CATALYST CAT1026/CAT1027 说明书

CAT1026 和 CAT1027 是基于微控制器的系统的完整存储和监控解决方案。2k 位串行 EEPROM 存储器和带有防断电保护的系统电源监督器在低功耗 CMOS 技术中集成在一起。内存接口通过 400kHz I2C 总线。CAT1026 和 CAT1027 提供带有五个复位阈值电压选项的精密 VCC 感应电路，支持 5V、3.3V 和 3V 系统。电源监控和复位电路在供电上电/下电期间以及在断电条件下保护内存和系统控制器。如果电源电压超出正常范围，则会触发复位，以便保护系统。可通过外部引脚配置复位电压。

CATALYST CAT24FC16 说明书

CAT24FC16是Catalyst Semiconductor公司生产的16kb I2C串行EEPROM，工作电压为1.8V到5.5V，采用了低功耗CMOS技术，具有16字节页写缓冲区，支持工业和扩展温度范围，自定时写周期，具有1,000,000次编程/擦除周期，100年数据保持能力，提供8脚DIP、8脚SOIC、8脚TSSOP、8脚MSOP和TDFN封装，具有硬件写保护功能。

CATALYST CAT24WC01/02/04/08/16 数据手册

CAT24WC01/02/04/08/16 1K/2K/4K/8K/16K-Bit Serial E2PROM是Catalyst Semiconductor推出的一款低功耗CMOS E2PROM，它具有400 KHZ I2C Bus兼容性、1.8到6.0伏电源操作、写保护特性、页写缓冲区、自定时写周期以及1,000,000次编程/擦除周期和100年数据保留功能，它适用于商业、工业和汽车温度范围，并且提供8针DIP、8针SOIC或8针TSSOP封装。

CATALYST CAT93C56/57 数据手册

该文件介绍了Catalyst Semiconductor公司生产的CAT93C56/57系列2K位串行EEPROM存储器的特点和特性。该产品具有高速操作、低功耗CMOS技术、1.8至5.5伏电压操作范围、可选择的x8或x16存储器组织、自定时写周期、软件写保护、顺序读取、上电意外写保护等特性。该产品可承受100万次编程/擦除循环，并具有100年的数据保留能力。适用于商业、工业和汽车温度范围。符合RoHS标准。

CATALYST CAT93C86 数据手册

CAT93C86是一款16K位的串行EEPROM存储器，具有高速操作、低功耗CMOS技术、可选的x8或x16存储组织、自定时写入周期、硬件和软件写保护、上电意外写入保护等特点。

intersil CDP1805AC, CDP1806AC 数据手册

介绍了CDP1805AC和CDP1806AC的功能特性，包括指令时间、温度范围、指令数、向上兼容性、低功耗IDLE模式、引脚兼容性、内存地址能力、内存容量、寄存器矩阵、晶振或RC控制振荡器、8位计数器/定时器。

National Semiconductor CLC5612 Dual, High Output, Programmable Gain Buffer 数据手册

CLC5612是一款低成本、高性能的双通道缓冲器，具有可编程的增益，可满足各种应用场景，例如视频线驱动、同轴电缆驱动、双绞线驱动、变压器/线圈驱动、高容性负载驱动、便携式/电池供电应用、A/D驱动等。