KMM5364003BSW/BSWG是三星生产的4Mx36bits动态随机存储器(DRAM)高密度存储模块,该模块由两个CMOS 4Mx16位和一个CMOS Quad CAS 4Mx4位DRAMs在TSOP包装中组成,安装在一个72针玻璃环氧基板上。每个DRAM上都安装了一个0.1或0.22uF去耦电容器。KMM5364003B是带有边缘连接的单个内存模块,用于安装在72针边缘连接器插座中。
L2SC4617*T1是LESHAN RADIO COMPANY, LTD.生产的一种NPN硅普通用途晶体管,其额定最大集电极-发射极电压为60V,最大集电极-基极电压为50V,最大发射极-基极电压为7V,最大集电极电流为0.15A,最大集电极功耗为0.15W,最大工作温度为150℃,最小工作温度为-55℃。