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松下 2SK0657 (2SK657) 数据手册

该文档介绍了2SK0657 (2SK657)硅N-沟道MOS FET的特点和特性，包括高速开关、易于安装和固定等。

2SK0662是东芝生产的一款N沟道硅结晶场效应晶体管，主要用于低频放大，具有高互导率和低噪声等特点。

2SK0664 (2SK664) 是一款高性能硅N沟道MOS晶体管，用于开关电路。该晶体管具有高开关速度和S-mini型封装，可实现电路小型化和自动插入。

2SK0665(2SK665) 是日本富士通公司生产的一款高性能小信号N沟道MOSFET，具有高开关速度、高输入阻抗和高静电击穿电压等特点。本数据手册详细介绍了该器件的特性参数，供设计人员参考。

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P6KA6.8 THRU P6KA43A 汽车瞬态电压抑制器，额定击穿电压为6.8至43伏特，最大脉冲功率为600瓦特。该产品具有耐高温、快速响应、低阻抗等特点，适用于汽车的各种应用场景。

该手册介绍了FloBoss S600+流量计算器的功能和使用方法。

P6 SMBJ 6.5.170CA 表面安装单向和双向瞬态电压抑制二极管具有 600 W 的脉冲功率耗散和 6.5.170 V 的最大阻挡电压。

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该文档是CV60车载计算机的用户手册，介绍了CV60车载计算机的特点和特性。

本文件介绍了4N25-M系列光电隔离器的产品特性，包括封装、应用、技术参数等。

本手册介绍了MVME167单板计算机的硬件准备、安装、操作和功能描述等内容。

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该手册是TOSHIBA Satellite A60系列便携式个人计算机的用户手册，介绍了该系列计算机的基本功能、使用方法和故障排除方法

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1N4565系列是6.4V零温漂参考二极管，温度系数低至0.0005%/oC，四种工作电流供选择，0.5mA、1.0mA、2.00mA和4.00mA。

MAX6315是一款低功耗CMOS微处理器（µP）监督电路，专门设计用于监控µP和数字系统中的电源。它通过消除外部组件和调整来提供出色的电路可靠性和低成本。