ST M29W641DH, M29W641DL M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册 M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory产品特点包括电源电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除挂起和恢复模式、解锁旁路编程命令、写保护选项、临时块非保护模式、公共闪存接口、扩展存储块、低功耗消耗和电子签名
samsung SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 May 2004 数据手册 M366S0924FTS is a 64MB SDRAM unbuffered DIMM based on 128Mb F-die. It supports 62/72-bit non ECC and ECC.
ST M48T35 M48T35Y 256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册 M48T35, M48T35Y是美国微芯科技公司生产的256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM，内置超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池，具备字节宽度RAM一样的时钟访问、BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒、实时时钟的频率测试输出、自动电源故障芯片解除选择和写保护功能，写保护电压为4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V，4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V，内置电池和晶振的CAPHAT DIP封装，SOIC封装提供直接连接SNAPHAT外壳，包含电池和晶振的SNAPHAT®外壳是可替换的，与JEDEC标准的32Kb x8 SRAM兼容。
ST M48T58 M48T58Y5.0V, 64Kbit(8Kbx8) TIMEKEEPER SRAM 数据手册 M48T58 M48T58Y 5.0V, 64 Kbit (8 Kb x 8) TIMEKEEPER® SRAM是东芝公司的一款集成超低功耗SRAM,实时时钟，电源故障控制电路和电池的产品。该产品具有BCD编码的YEAR，MONTH，DAY，DATE，HOURS，MINUTES和SECONDS；频率测试输出用于实时时钟；自动电源故障芯片失选和写保护；写保护电压（VPFD=电源故障失选电压）：- M48T58：VCC=4.75至5.5V 4.5V≤VPFD≤4.75V - M48T58Y：VCC=4.5至5.5V 4.2V≤VPFD≤4.5V。产品采用自含电池和晶体SNAPHAT™DIP封装，包括28针SOIC和SNAPHAT®TOP（需单独订购）。SOIC封装提供直接连接到含有电池和晶体的SNAPHAT外壳的连接，并且兼容JEDEC标准8Kb x 8 SRAM的引脚和功能。
ST M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories 数据手册 M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories PE4 产品具有高性能、低功耗等特点，主要应用于便携式设备、网络、汽车、工业、消费电子等领域。
ST M59DR032A M59DR032B 32 Mbit (2Mb x16, Dual Bank, Page) Low Voltage Flash Memory 数据手册 该文件介绍了一款名为M59DR032A和M59DR032B的32 Mbit闪存芯片，具有低电压供应、快速编程和抹除、双存储区、块保护/解锁等特点。
ST M93C86, M93C76, M93C66 M93C56, M93C46 数据手册 M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE® Serial Access EEPROM
ferraz shawmut A60X SEMICONDUCTOR PROTECTION FUSES 该文件是关于A60X Amp-trap® Form 101 Semiconductor Protection fuses的，它是一种快速动作的过流保护设备，可以用于保护重型牵引和电化学设备以及整流器和其他重型设备，它具有低l2t和可选的显示器，可以帮助用户选择适合自己设备的保护装置
Aeroflex ACT5271 64-Bit Superscaler Microprocessor 数据手册 该文件介绍了QED RM5271微处理器的特点特性，该微处理器是双发射超标量微处理器，可以在一个周期内发射一个整数指令和一个浮点指令。
ANALOG DEVICES 12-Bit 100 kSPS A/D Converter AD1674* 数据手册 AD1674是一款12位100 kSPS A/D转换器，内置采样保持放大器，工业标准引脚，8位和16位微处理器接口，交流和直流指定和测试的单极性和双极性输入，-5 V、-10 V、0 V-10 V、0 V-20 V输入范围，商业、工业和军事温度范围等级。
ANALOG DEVICES Low Power, 16-/24-Bit Sigma-Delta ADC AD7788/AD7789 数据手册 AD7788/AD7789是低功耗的16/24位Sigma-Delta ADC，具有2.5V至5.25V的操作电压、1µA的功耗和1.5µV的RMS噪声。
ANALOG DEVICES 10-Bit, 40/65/80/105 MSPS 3 V Dual A/D Converter AD9218 数据手册 AD9218是一款双通道10位、40/65/80/105 MSPS的A/D转换器。它具有低功耗、内置参考电压和保持电路、300 MHz的模拟带宽、1 V p-p或2 V p-p的模拟输入范围等特点。
AKM AK93C45A / 55A / 65A / 75A 数据手册 ASAHI KASEI [AK93C45A/55A/65A/75A] DAM01E-01是一种1K/2K/4K/8K位串行CMOS EEPROM，具有宽广的工作电压范围和低功耗特性。该产品适用于低密度数据存储，并具有高可靠性和自动化功能。
Melexis MLX16201 Intelligent HV automotive relay driver 数据手册 MLX16201是梅雷西斯推出的一款高压汽车继电器驱动器，该产品采用8K*8用户ROM、256*8 RAM和128*16 EEPROM，内置8位A/D转换器，支持11种用户中断源，可运行WORD、BYTE和BIT操作，具有5ms/10ms窗口看门狗，可提供20.8kHz、7位+1 PWM输出，内置温度传感器。
TEXAS INSTRUMENTS 74ALVCHS162830A 数据手册 该文档介绍了一种1位到2位地址驱动器，适用于2.3V至3.6V VCC操作。输入端添加了与VCC相连的二极管以夹持过冲。主动总线保持电路可以将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在总线保持电路上使用上拉或下拉电阻。输出端设计为可下沉高达12mA，并包含串联阻尼电阻以减小过冲和欠冲。ALVCHS162830A是LVCHS162830（非A版本）的改进版，经过优化以降低功耗并提高AC驱动能力。更高的AC驱动能力可以驱动具有更快边沿速率的负载。为了确保在上电或断电过程中处于高阻态，输出使能（OE）输入应通过上拉电阻连接到VCC；电阻的最小值由驱动器的承载能力决定。
melexis MLX90269 Absolute Integrated Pressure Sensor 数据手册 MLX90269绝对集成压力传感器具有可编程性、可调节的偏置和灵敏度、输出与施加的压力成比例、不同的压力范围可用等特点。
AMD Am29LV002 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory 数据手册 2M 位 (256 K x 8-Bit) CMOS 3.0 伏特只读/可擦除闪存，具有 boot sector 和灵活的扇区结构
