PHILIPS SA612A 数据手册 SA612A是PHILIPS公司生产的一款低功耗Vhf单片双平衡混频器，内置振荡器和电压调节器，适用于信号频率低至500MHz、本地振荡器频率高达200MHz的低成本、低功耗通信系统。
PHILIPS SA614A 数据手册 SA614A 是 Philips Semiconductors 生产的低功耗 FM IF 系统，集成两个限幅中频放大器、正交检测器、静音、对数接收信号强度指示器和电压调节器。SA614A 具有更高的 IF 带宽 (25MHz) 和温度补偿的 RSSI 和限幅器，允许与 SA604 相比实现更高性能的应用。SA614A 提供 16 引脚双列直插塑料封装和 16 引脚 SO (表面贴装微型) 封装。
NEC N-CHANNEL GaAs MES FET NE6500379A 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET 数据手册 NE6500379A是一款3W GaAs MESFET，用于中功率发射机应用，如移动通信手机和基站系统。它能够以高线性增益、高效率和卓越的失真提供3瓦的输出功率（CW）。NEC严格的质量和控制程序确保了可靠性和性能均一性。
CEL NE650103M NEC'S 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET 数据手册(1) NE650103M是NEC公司设计的一款10W GaAs MESFET，适用于PCS、W-CDMA、WLL等应用，能够以高线性增益、高效率和卓越的线性度提供10瓦的输出功率
NEC N-CHANNEL GaAs MES FET NE650R279A 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET 数据手册 NE650R279A是NEC公司推出的一款0.2W GaAs MES FET，用于中功率发射器应用，适用于移动通信手柄和基站系统。该产品具有高线性增益、高效率、优异失真，可作为NE6500379A等产品的驱动放大器。
CEL NE6510179A NEC's 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET 数据手册 NEC的NE6510179A是一款GaAs HJ-FET，专为中功率移动通信、固定无线接入、ISM、WLL、PCS、IMT-2000和MMDS发射机和用户应用而设计。它能够在高线性增益、高效率和优异线性度的条件下，在3.5V时提供1.8瓦的输出功率，5V时提供3瓦的输出功率。NEC通过严格的质量控制程序确保可靠性和性能一致性。
NEC NE651R479A 数据手册 NE651R479A是一款0.4W GaAs HJ-FET，适用于移动通信和无线PC LAN系统的中功率发射机应用。它具有高线性增益、高效率和优秀的失真性能，并可作为NE6510179A和NE6510379A的驱动放大器。
