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FUTEK FSH01966 Data Sheet(1)(1)

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NEC 手机 说明书(6)

这份NEC N118用户手册介绍了手机的使用说明、安全注意事项、紧急服务、维修指南等内容。

FAIRCHILD FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench 说明书 (1)

FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。

FAIRCHILD FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench 说明书(1)

FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。

FAIRCHILD FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1)

FDN361BN是Fairchild Semiconductor推出的一款低压应用的N沟道逻辑级功率MOSFET，其最大电压为30V，额定电流为1.8A。该器件具有低RDS(ON)、低门极电荷、小封装等特点，适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡等低压应用场合。

SED OK 362 手机 说明书

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FAIRCHILD FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 说明书(1)

该文档介绍了FDN361BN型号的30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，适用于低压应用领域，具有快速开关和低功耗的特点。

FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1)

FND5618P是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，该器件具有极低的RDS(ON)，快速的开关速度，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理等应用。

FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1)

该文件介绍了一种60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET产品，具有高压PowerTrench工艺，适用于功率管理应用。其特点包括：-1.25 A, –60 V的漏源电阻，快速开关速度，极低漏源电阻。

FAIRCHILD FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书

该文件介绍了FDN5630型号的N通道MOSFET的技术特性，包括低RDS(ON)、优化高频率DC/DC转换器使用、低门电荷和快速开关等特点。该产品适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。

FAIRCHILD FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1)

该文档介绍了FDN5630型号的N-通道MOSFET，该MOSFET具有低RDS(ON)，适用于高频率的DC/DC转换器，具有较快的开关速度和较高的整体效率。

kexin N-Channel PowerTrench MOSFET FDN5630 说明书

本文件提供了FDN5630 MOSFET的规格信息，包括特性、参数、外形尺寸等。

FAIRCHILD FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 1.6A, 98mΩ 说明书

该文档是关于FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的使用手册，介绍了该产品的特点特性，包括RDS(on) = 98mΩ at VGS = 4.5V, ID = 1.6A、RDS(on) = 82mΩ at VGS = 10V, ID = 1.7A、Typ Qg(TOT) = 9.2nC at VGS = 10V、Low Miller Charge、Qualified to AEC Q101等

三菱电机 M600 使用说明

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FAIRCHILD FDP025N06 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5mΩ 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDP025N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V电压、265A电流、2.5mΩ电阻等。

FAIRCHILD FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ 说明书

FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，其特点是rDS(ON) = 3.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A，Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V，低Miller Charge，低QRR Body Diode，UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)，Qualified to AEC Q101。该产品适用于Motor / Body Load Control，ABS Systems，Powertrain Management，Injection Systems，DC-DC converters and Off-line UPS，Distributed Power Architectures and VRMs，Primary Switch for 12V and 24V systems等应用领域。

FAIRCHILD FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ 说明书

FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ，具有低米勒电荷、低QRR 体二极管、UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）、AEC Q101 认证等特点，适用于汽车动力系统、DC-DC 转换器和 Off-line UPS、分布式电源架构和 VRM、12V 和 24V 系统的主开关。

FAIRCHILD FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET数据手册

该产品是一款N通道PowerTrench® MOSFET，额定电压为60V，额定电流为80A，导通电阻为3.8mΩ。

FAIRCHILD FDP040N06 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDP040N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，该MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，同时仍保持卓越的开关性能。该MOSFET的特点是RDS(on)=3.2mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=75A，开关速度快，栅极电荷低，采用高性能Trench技术实现极低RDS(on)，具有高功率和电流处理能力，符合RoHS标准。

VK610 使用手册

该文件内容为一组数字序列，呈现出一种特定的排列规律。