FAIRCHILD FQPF6N70 数据手册 FQPF6N70是Fairchild生产的一款700V N沟道MOSFET，具有低门极电荷（典型值为30 nC）、低Crss（典型值为15 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF6N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF6N80 是 Fairchild Semiconductor 生产的 800V N 通道 MOSFET，具有 3.3A 的持续电流和 800V 的最大电压。其特点是低导通电阻，低栅极电荷和低 Coss。该器件经过 100% 的雪崩测试，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF7P06 说明书 FQPF7P06是一款由Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 说明书 FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲的功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1)(1) FQPF6N90是900V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1) 该文件介绍了FQPF6N90型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点，包括最小的导通电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换流模式下的高能量脉冲承受能力。该器件非常适用于高效开关模式电源。
FAIRCHILD FQP6N90C/FQPF6N90C 说明书 FQP6N90C/FQPF6N90C是Fairchild生产的高性能N通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关和100%雪崩测试等特点，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6P25 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQPF6P25 250V P通道MOSFET的特点和特性。这些功率场效应晶体管采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQPF7N60 说明书 FQPF7N60是Fairchild生产的一款600V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQPF7N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF7N60 是 Fairchild Semiconductor 生产的 600V 的 N 沟道 MOSFET，具有 4.3A 的最大连续电流，1.0 欧姆的典型开关电阻，29 nC 的典型栅极电荷，16 pF 的典型栅极电容，100% 的雪崩测试，改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 数据手册 FQP7N65C/FQPF7N65C是富士通生产的650V N通道MOSFET，具有低门极电荷、低漏极-源极电容、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点。该器件适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQP7N65C/FQPF7N65C型号的650V N沟道MOSFET的特点。它采用了Fairchild公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
E76 手表 操作指南 E76 操作指南，这是一款光动能手表，使用前请在光下充足电，充满电后可以使用约 5 年。产品特点包括时间、日历、万年历、节电功能、1、2 时差设定功能、充电警告功能、防止过量充电功能、对时提示功能。
FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP8N60C/FQPF8N60C是飞兆半导体公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体公司专有的平面条纹DMOS工艺。该工艺专为最小化开关导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换流模式下高能脉冲而量身定制。该器件非常适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯光镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的低导通电阻、低栅极电容、快速开关、100% 雪崩测试的产品，适用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等场景。
FAIRCHILD FQPF8N60CF 数据手册 FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点。该产品适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
