EP-3VB EP-6VB USER MANUAL 该文件提到的所有产品和公司名称均为其各自持有人的商标或注册商标。这些规格可能会更改。该文件是1999年10月7日的第1版手册。它介绍了EP-3VB/6VB产品的特点和特性。
EP-6VBE USER MANUAL 该文件介绍了产品和公司名称的商标或注册商标,并说明了这些规格可能会变更。用户须知中指出了产品不得未经授权进行复制、传输、抄写、储存或翻译。此外,文档还声明了EPoX不对产品提供任何形式的保证,并且对于任何间接、特殊、偶然或后果性损害不承担责任。
Socket 7 Processor based mainboard (100/66 MHz) User's Manual 这是一份英特尔的用户手册,介绍了A Soc Socket 7 Processor based mainboard (100/66 MHz)的特点特性
Socket 370 Processor based mainboard (100/66 Mhz) User's Manual 该文档是关于A Socket 370 Processor based mainboard (100/66 MHz)的用户手册
infineon SPP20N60C3, SPB20N60C3 Final data SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 新一代高压功率MOSFET,RDS(on)小至0.19欧姆,ID高达20.7安培,应用于各种高压开关电源、DC/DC转换器等场合。
infineon SPP20N60CFD Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPP20N60CFD Cool MOS™ 功率晶体管, 额定最大电压650V, 导通电阻0.22欧姆, 连续电流20.7安培, 脉冲电流52安培, 反向恢复电荷极低.
infineon SPP20N60CFD Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该文档介绍了SPP20N60CFD Cool MOS™功率晶体管的特点和特性,包括全球最佳的RDS(on),超低的门电荷,周期性雪崩耐压,极高的dv/dt耐压,高峰值电流能力,内在快速恢复二极管等。
infineon SPP20N60S5 SPB20N60S5 说明书 该文档介绍了SPP20N60S5和SPB20N60S5两款Cool MOS™功率晶体管的特点和特性,包括新的高压技术、TO 220封装中最佳的RDS(on)、超低的栅极电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低的有效电容和改进的跨导。
infineon SPP20N60S5 Preliminary data SPB20N60S5 说明书 SPP20N60S5/SPB20N60S5 是一款高压功率晶体管,其特点是 RDS(on) 为 0.19 欧姆,ID 为 20 A,采用 TO220 和 TO263 封装。
infineon SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 说明书 该文档介绍了鼎好公司的SPP20N65C3、SPA20N65C3和SPI20N65C3三款Cool MOS™功率晶体管的技术参数和特性。这些产品具有高压技术、低RDS(on)、超低栅极电荷、高峰值电流能力等特点。
AMD Socket A Processor based mainboard(200/266MHz) 用户手册 该文件介绍了基于AMD Soc处理器的主板,支持PC1600/PC2100/PC2700 DDR内存模块,其中包括了关于POST端口的常见问题和用户手册。