ProMos V55C2256164VB 256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16 V55C2256164VB 256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16 是V55系列的一款高性能移动SDRAM。支持高达143MHz的时钟速率，支持四通道，4Mbitx16的组织结构。
CD TECHNOLOGIES VKA60xS 60 Watt Single Output Half Brick DC/DC Converter VKA60xS系列DC/DC转换器是一种经济实用的解决方案，适用于需要高功率密度和效率同时保持系统模块化和可升级性的分布式电源系统架构。这些模块能够在18至36伏和33至75伏的宽输入电压范围内工作，非常适合今天的电信和电子数据处理应用中常见的电池备份应用。输出完全与输入隔离，允许使用各种极性和接地配置。VKA60xS的专有控制电路在100微秒内对50-100%负载步骤做出1%标称输出电压的响应。专利的固定频率架构结合表面贴装技术，为DC/DC转换需求提供了紧凑、高效和可靠的解决方案。符合UL1950、EN 60950和CSA 22.2 #234的安全标准。
ST VN800S(8961) / VN800PT(8961) Data Sheet VN800S(8961) / VN800PT(8961) 是使用STMicroelectronics VIPower M0-3技术制造的单片装置，用于驱动任何一端连接到地面的负载。它具有CMOS兼容输入、热关断、电流限制、短路负载保护、欠压和过压关断、防止接地失效、极低待机电流和反向电池保护等特点。
Winbond Preliminary W91560DN SERIES 3-MEMORY TONE/PULSE DIALER WITH RTC AND LCD DISPLAY FUNCTIONS Data Sheet W91560DN系列IC是Si-gate CMOS IC，可提供脉冲或音调拨号所需的信号。它们具有3个数字存储器和12/16位LCD驱动器，用于显示电话号码和通话时间。包括一个实时时钟，用于显示当天的日期。W91560DN系列采用CMOS技术制造，因此在低压、低功耗应用中具有良好的性能。
WHITE ELECTRONIC DESIGNS WMS128K8-XXX 128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691 该文档介绍了White Electronic Designs WMS128K8-XXX 128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD的特性和特点。
XICOR X84256 µPort Saver EEPROM 256K MPS µPort Saver EEPROM是Xicor公司推出的一款高性能EEPROM，具有25ns读取时间、10MHz的数据传输速率、低功耗、小封装等特点。
TOREX XC62G Series 数据手册 XC62G系列是采用CMOS和激光修整技术制造的高精度、低功耗正电压稳压器。该系列具有高输出电流、低输入输出电压差和良好的瞬态响应特性，即使在负载变化时输出也保持稳定。同时，具有高纹波抑制比，可与低功率电源噪声一起使用。CE输入使得输出可以关闭，从而降低功耗。可提供SOT-25（150mW）和SOT-89-5（500mW）封装。
Diotec Semiconductor DB 15-005 ... DB 15-16 Three-Phase Si-Bridge Rectifiers DB 15-005 ~ DB 15-16 是德国西门子公司生产的三相 Si 桥整流器，额定电流为 15 A，重量约 21 克。
FAIRCHILD HUF75617D3, HUF75617D3S 数据手册 本文介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75617D3和HUF75617D3S两款UltraFET®功率MOSFET产品的特点，包括超低导通电阻、仿真模型、峰值电流与脉宽曲线、UIS评级曲线等。
intersil HUF75623P3 数据手册 HUF75623P3是Intersil公司生产的一款22A，100V，0.064 Ohm的N-通道UltraFET功率MOSFET，具有超低的导通电阻，可以应用于各种电力电子领域。
FAIRCHILD HUF75623P3, HUF75623S3ST 数据手册 HUF75623P3, HUF75623S3ST是Fairchild Semiconductor Corporation生产的22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs产品，具有超低导通电阻（rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V），可用于各种电路设计。
intersil HUF75631P3 数据手册 该文件介绍了一个名为HUF75631P3的产品，它是一款N沟道超低导通电阻的功率MOSFET。该产品具有超低导通电阻和高性能的特点，适用于各种应用场合。
intersil HUF75631P3, HUF75631S3S 数据手册 Intersil Corporation 为33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET 提供数据手册
FAIRCHILD HUF75631P3, HUF75631S3ST 数据手册 HUF75631P3, HUF75631S3ST 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs，具有超低导通电阻、温度补偿的 PSPICE® 和 SABER™ 电气模型、 Spice 和 SABER 热阻抗模型等特点。
