MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5ASJ-06 HIGH-SPEED SWITCHING USE 数据手册 FS5ASJ-06是三菱生产的一款Nch功率MOSFET，它具有高开关速度、低导通电阻和低漏电流等特点。它适用于电机控制、灯光控制、电磁阀控制、DC-DC转换器等应用。
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5ASH-06 数据手册 该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5ASH-06的特点和特性，主要用于高速开关应用，如电机控制、灯控制、电磁控制和DC-DC转换器等。具有高电压和电流容量，快速恢复二极管集成设计等特点。
MITSUBISHI FS5KM-6 数据手册 FS5KM-6是三菱电机生产的一款Nch功率MOSFET，其最大漏源电压为300V，最大漏源电流为5A，最大关断电阻为1.6Ω，最大功耗为30W，工作温度范围为-55°C~+150°C。
MITSUBISHI FS5UM-6 数据手册 FS5UM-6是三菱电机生产的一款Nch功率MOSFET，其最大漏源电压为300V，最大漏源电阻为1.6欧姆，最大漏源电流为5安培，最大功率耗散为60瓦，工作温度范围为-55~+150度。
三菱电机 FS5VS-6 说明书 FS5VS-6是三菱电机生产的一款高性能Nch功率MOSFET，具有300V的最大耐压和1.6欧姆的典型导通电阻，非常适合于各种开关电源、DC-DC转换器、电池充电器等应用
IXTQ IXTH 10P60 数据手册 该文件介绍了IXYS公司的TO-247 AD型号功率MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、引脚定义、最大温度、最大电压和电流等。该产品具有低RDS（on）值、可靠的结构、抗电弧能力和低包装电感等特点，适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器和自动测试设备。
IXYS IXTN 58N50，IXTN 61N50 数据手册 这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。
IXYS IXTH 16P20 说明书 该文件介绍了IXYS的一款P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Standard Power MOSFET（IXTH 16P20），具有国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构、无限电感开关（UIS）等特点。
IXYS IXTH/IXTM 6 N80A 数据手册 ixth/ixtm 6 n80/6 n80a 是 ixys 生产的一款功率 mosfet，具有低 rds(on)、hdmostm 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感（<5 nH）等特点
IXYS IXTK 62N25 说明书 IXTK 62N25是一款高电流N通道增强型MOSFET，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等特点，适用于电机控制、DC斩波器、开关电源等应用场合。
IXYS IXTH / IXTM 6N90A 数据手册 该文件介绍了IXYS公司生产的TO-204 AA (IXTM)和TO-247 AD (IXTH)型号的N沟道增强模式功率MOSFET。产品具有低RDS(on)、坚固的多晶硅栅电池结构、低包装电感等特点。适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。
IXYS IXTP 1R6N50P/IXTY 1R6N50P 说明书 IXTP 1R6N50P是IXYS生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET，其主要特征包括国际标准封装、不加钳电感开关(UIS)额定、低封装电感，易于驱动和保护。
IXYS IXTQ 69N30P, IXTT 69N30P 数据手册 IXTQ 69N30P is a N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with VDSS = 300 V, ID25 = 69 A and RDS(on) = 49 mΩ. It features international standard packages, unclamped inductive switching (UIS) rating and low package inductance.
