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SLS SL74HC367 DATA SHEET

SL74HC367是一种高性能的六状态非反向缓冲器，具有独立的2位和4位部分。它具有直接与CMOS、NMOS和TTL接口的输出，工作电压范围为2.0至6.0V，输入电流低，具有高噪声抗干扰特性。

SEME SML60J35 数据手册

SML60J35是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，具有更快的开关速度，更低的漏电流和100%的雪崩测试。采用新技术，最小化了JFET效应，增加了包装密度并减少了导通电阻。

TEXAS INSTRUMENTS SN65HVD50-SN65HVD55 SN65HVD56-SN65HVD59 数据手册

SN65HVD50-SN65HVD55 SN65HVD56-SN65HVD59 是 TI 公司生产的一款 RS-485 驱动器和接收器，带有 1/8 单位负载选项，支持 256 个节点在总线上。该产品具有 15 kV HBM 总线引脚 ESD 保护、可选的驱动器输出过渡时间、低电流待机模式 (< 1 μA)、无故障的供电和断电总线 I/O、总线空闲、开路和短路故障保护等特性，符合 ANSI TIA/EIA-485-A 和 RS-422 兼容标准。

TEXAS INSTRUMENTS SN54AHCT16541, SN74AHCT16541 16-BIT BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS数据手册

SN54AHCT16541和SN74AHCT16541是16位缓冲器/驱动器，具有三态输出。它们采用了EPIC（增强性能植入CMOS）工艺，输入与TTL电压兼容，具有分布式VCC和GND引脚以减小高速切换噪声，流通架构优化PCB布局，防止锁存电流大于250 mA。包装选项包括塑料收缩小外形（DL），薄收缩小外形（DGG），薄超小外形（DGV）和380毫米细间距陶瓷平板（WD）包装。产品特点特性包括双8位缓冲器段，具有独立的输出使能信号，输出使能输入为高时，对应的输出处于高阻态，为了确保在上电或下电过程中处于高阻态，应将输出使能信号连接到VCC通过上拉电阻，电阻的最小值由驱动器的电流下沉能力确定。SN54AHCT16541和SN74AHCT16541分别适用于-55°C到125°C和-40°C到85°C的工作温度范围。

TEXAS INSTRUMENTS SN74BCT2423A, SN74BCT2424A 16-BIT LATCHED MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER BUS TRANSCEIVERS数据手册

SN74ALVCH162244是德州仪器Widebus系列的16位缓冲/驱动器，采用增强性能植入CMOS（EPIC）亚微米工艺，输出端口具有等效26欧姆串联电阻，因此无需外部电阻。

Unidata 6509 Water Level Instrument Update 使用手册

该文件是关于Unidata 6509型号的水位仪器的使用手册，介绍了产品的特点和功能。

TEXAS INSTRUMENTS SN74BCT2423A, SN74BCT2424A 16-BIT LATCHED MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER BUS TRANSCEIVERS数据手册(1)

SN74BCT2423A，SN74BCT2424A是一款16位锁存多路复用器/解复用器总线收发器，具有以下特点：可用于实时和锁存数据，可用于字节控制的字节写应用，可用于NuBus接口应用，可用于内存交错应用，BiCMOS设计显着降低了待机电流，可靠的德州仪器质量和可靠性。

TEXAS INSTRUMENTS SN74GTLPH1612 18-BIT LVTTL-TO-GTL+ ADJUSTABLE-EDGE-RATE UNIVERSAL BUS TRANSCEIVER数据手册

该数据手册详细介绍了SN74GTLPH1612 18-BIT LVTTL-TO-GTL+ ADJUSTABLE-EDGE-RATE UNIVERSAL BUS TRANSCEIVER 的功能和特性，包括功能、引脚、封装、用途等。

日立 SP14Q006 说明书

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东芝 TLP2601 说明书

TLP2601是一款光电耦合器，采用GaAℓAs IRed作为发射器和集成的高增益、高速光电检测器。输出为开集电极、肖特基夹锁式晶体管。光电检测器芯片上的法拉第屏蔽减少了输入LED发射器和检测器的高增益级之间的电容耦合效应，提供了1000V/µs的有效共模暂态免疫性。

MITEL SP5769 说明书

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东芝 TLP260J 说明书

该数据表格为TLP260J的特性参数表格，介绍了该产品的最大额定值、最大峰值、最大非重复浪涌电流、封装尺寸、触发LED电流、封装类型、引脚图、引脚编号、重量等信息

intersil SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 数据手册

20N65C3是一种650V、20.7A的新型革命性高压MOS功率晶体管。它具有超低门极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力和改进的传导率。

东芝 TLP2630 说明书

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TOSHIBA TLP2631 说明书(1)

TLP2631是一个肖特基二极管，它具有低结电容和低反向漏电流。它适用于低电压应用，如电源、开关电源、逻辑电路和通信设备。

三星 SSH15N60/55 说明书

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TOSHIBA TLP296G 说明书(2)

TLP296G是TOSHIBA生产的一款光耦合器产品，它采用8引脚DIP封装，可以作为双向开关来替代许多应用中的机械继电器。

ST STW6NA80/STH6NA80FI 说明书

STW6NA80 STH6NA80FI N - CHANNEL 800V - 1.8Ω - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR，是STMicroelectronics的一种产品。它采用AVALANCE RUGGED TECHNOLOGY，具有100% AVALANCHE TESTED、REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC、LOW GATE CHARGE、VERY HIGH CURRENT CAPABILITY等特点。主要应用于HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING、SOLENOID AND RELAY DRIVERS、REGULATORS、DC-DC & DC-AC CONVERTERS、MOTOR CONTROL、AUDIO AMPLIFIERS、AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)等场合。

ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书(2)

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ST STS7PF30L P-CHANNEL 30V - 0.016Ω - 7A SO-8 STripFET II POWER MOSFET 数据手册

这是一款ST Microelectronics的STS7PF30L P-CHANNEL 30V - 0.016Ω - 7A SO-8 STripFET™ II POWER MOSFET，具有低RDS(on)和极高的封装密度，适用于电池管理和电源管理等应用。