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ST BAL-2593D5U 50 / 50+j50 balun transformer for 2.45 GHz ISM band 数据手册

该文档介绍了一款用于2.45 GHz ISM频段的50 Ω/50+j50平衡变压器。该变压器具有低插入损耗、低振幅失衡、低相位失衡等特点，适用于蓝牙应用。

ST STEVAL-TDR014V1 Demonstration board based on the PD55008-E for UHF mobile radio 数据手册

The STEVAL-TDR014V1 is a demonstration board using the PD55008-E common source N-channel enhancement-mode lateral field effect RF power amplifier. It is designed as a driver for UHF mobile radio applications.

ST STEVAL-TDR019V1 Demonstration board using the PD85004 for 900 MHz 2-way radio 数据手册

该文件为STEVAL-TDR019V1数据手册，介绍了该产品的特点特性，包括频率、供电电压、输出功率、功率增益、效率、负载失配等。

ST STEVAL-TDR022V1 RF power amplifier using the PD85025-E for UHF OFDM and 2-way mobile radios 数据手册

这是一款由STEVAL公司发布的射频功率放大器的使用手册，该手册详细介绍了该放大器的特点特性、电气特性、测试电路和电路布局等信息。

ST STEVAL-TDR023V1 RF power amplifier using 1 x PD55025-E N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 数据手册

STEVAL-TDR023V1是ST公司生产的一款RF功率放大器，工作频率为460-540MHz，供电电压为13.6V，输出功率为20W，增益为13.3dB，效率为51%-66%。

ST STEVAL-TDR016V1 RF power amplifier using 1 x PD55015E N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 数据手册

STEVAL-TDR016V1是ST公司设计的一款RF功率放大器，工作频率为155-165MHz，输出功率为30W，功率增益为14.7±0.3dB，效率为60%-72%

ST STEVAL-TDR011V1 2-stage RF power amplifier with LPF based on the PD85006L-E and STAP85050 RF power transistors 数据手册

STEVAL-TDR011V1是一款具有低通滤波器的两级50W射频功率放大器，具有卓越的热稳定性和温度传感器。该产品适用于2路模拟和数字移动无线电。

Honeywell HMC1501/HMC1512 SENSOR PRODUCTS 数据手册

HMC1501 / HMC1512是霍尼韦尔高分辨率、低功耗的MR传感器，能够测量磁场角度方向，分辨率低于0.07°。该传感器不受磁铁的温度影响，对冲击和振动不敏感，并且能够承受传感器与磁铁之间的间隙大幅度变化。该传感器工作电压为3伏，带宽响应为0-5 MHz。输出为典型的惠斯通桥。

ESTES 2450 – EX-200 说明书

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Hittite HMC350MS8 数据手册

HMC350MS8是一款高IP3单平衡混频器，适用于0.6-1.2GHz频段。该混频器采用GaAs MMIC技术，具有8.0 dB的转换损耗，+27 dBm的输入IP3，+45 dBm的输入IP2和+17 dBm的输入P1dB。它可以作为上变频器、下变频器或调制器使用，适用于手机基站、有线调制解调器和固定无线接入系统等应用。

SMA6501 数据手册

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ROHM MCR50 数据手册

该文档介绍了MCR50电阻器的特点和特性，包括采用与通用芯片电阻器相同材料制成、具有优异的抗元件性能的钌氧化物介质、不会被焊接腐蚀的电极等。

ROHM MCR50 数据手册(1)

MCR50(5025 size: 1 / 2W)是ROHM公司的厚膜矩形电阻器，具有高可靠性、使用温度范围宽、电压耐受性高等特点，广泛应用于各种电子产品中。

MOTOROLA MCR506 Series 数据手册

MCR506是摩托罗拉生产的一种晶闸管，该晶闸管具有高可靠性和均匀性，功率等级经济实惠，触发和保持特性实用，平面、坚固、热垫式结构，具有低热阻、高散热性和耐久性。

ST M950x0 M950x0-W M950x0-R 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock 数据手册

M950x0 M950x0-W M950x0-R 4 Kbit, 2 Kbit 和 1 Kbit 串行 SPI 总线 EEPROM 具有高速时钟

ST M95080 M95080-W M95080-R 8-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock 数据手册

这是一份关于产品的信息，产品已经进入全面生产阶段。该产品是一款8-Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟。它兼容串行外围接口(SPI)总线，具有8 Kb (1 Kbyte)的EEPROM存储器阵列和32字节的页面大小。它支持字节写入和页面写入，写入时间不超过5毫秒。可对整个存储器阵列进行四分之一、一半或全写保护。具有高速时钟，最高可达10 MHz。供电电压范围广泛，M95080为4.5 V至5.5 V，M95080-W为2.5 V至5.5 V，M95080-R为1.8 V至5.5 V。工作温度范围为-40°C至+85°C。具有增强的ESD保护，超过100万次写入循环，超过40年的数据保持时间。该产品符合RoHS和无卤素(ECOPACK®)要求，有多种封装可供选择。

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