FAIRCHILD FQD16N25C 250V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQD16N25C型250V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括16A的电流、0.27Ω的RDS(on)、低门电荷和低Crss、快速开关速度、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQB9N50C/FQI9N50C 500V N-Channel MOSFET 说明书 FQB9N50C/FQI9N50C是Fairchild公司生产的一款500V N-Channel MOSFET，它具有低导通电阻、高开关速度等特点，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQB50N06L/FQI50N06L 数据手册 该文件介绍了FQB50N06L / FQI50N06L 60V逻辑N沟道MOSFET的特点和特性。这些器件适用于低压应用，如汽车、DC / DC转换器和便携式和电池操作产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQB50N06/FQI50N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQB50N06 / FQI50N06 60V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild制造的低压开关器件，其特点是低导通电阻、优异的开关性能、在雪崩和换向模式下可承受高能脉冲。
ON NTP35N15 Preferred Device Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N−Channel TO−220 数据手册 NTP35N15 是一款功率 MOSFET，具有 37 安培、150 伏特的额定电流和 50 毫欧的漏源电阻。该器件适用于 PWM 电机控制、电源供应和转换器等应用。
FAIRCHILD FQA9P25 250V P-Channel MOSFET 数据手册 FQA9P25是Fairchild生产的一种250V P通道MOSFET，其特点包括低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试等。
FAIRCHILD FQP13N50/FQPF13N50 500V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQP13N50/FQPF13N50型500V N沟道MOSFET产品的特点和特性，采用Fairchild公司的专有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于高效的开关电源、功率因数校正和基于半桥的电子灯电子镇流器。
FAIRCHILD FQNL2N50B 500V N-Channel MOSFET 数据手册 该文档为FQNL2N50B 500V N-Channel MOSFET的数据手册，介绍了该器件的特点特性，包括额定工作电压、电流、门电压、门电容等。
FAIRCHILD FQN1N50C 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQN1N50C是一款500V N通道MOSFET，其特点是低RDS(on)、低门控电荷和快速开关，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQL40N50F 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQL40N50F是Fairchild制造的一种N沟道MOSFET，该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和高dv/dt能力。
FAIRCHILD FQL40N50 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQL40N50是一款500V N通道MOSFET，由Fairchild制造，具有40A的持续电流和0.11欧姆的导通电阻。
FAIRCHILD FQB13N50C/FQI13N50C 500V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQB13N50C/FQI13N50C 500V N-Channel MOSFET的特点和特性，采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击穿和换相模式的能力。
FAIRCHILD FQD9N25/FQU9N25 250V N-Channel MOSFET 数据手册 QFET是一种新型的射频功率器件，具有高频率、高功率、高效率、高可靠性和低成本等特点。QFET在射频通信、雷达、电子对抗、卫星通信、微波加热等领域具有广泛的应用。
FAIRCHILD FQD6N50C / FQU6N50C 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQD6N50C / FQU6N50C 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 500V N-Channel MOSFET，其特点是：4.5A、500V、RDS(on) = 1.2 Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为 19nC）、低 Crss（典型值为 15pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力。
