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FAIRCHILD FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V的漏极到源极电压，80A的漏极电流，5mΩ的漏极-源极电阻，以及低Miller电荷和低QRR二极管。

FAIRCHILD FDH50N50_F133 / FDA50N50 说明书

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FAIRCHILD FDA28N50F 说明书

这份文件介绍了Fairchild公司的UniFET TM FDA28N50F N-Channel MOSFET，该产品具有500V的电压、28A的电流和0.175Ω的电阻。其特点包括低门电荷、低输出电容、快速开关、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力和符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDA28N50 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的UniFET TM FDA28N50 N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的额定电压、28A的额定电流、0.155Ω的导通电阻等。

FAIRCHILD FDA24N50F 说明书

该文档介绍了Fairchild半导体公司的UniFET TM FDA24N50F N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的漏极到源极电压，24A的漏极电流，0.2Ω的导通电阻等。

FAIRCHILD FDA24N50 说明书

FDA24N50 N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一款高性能MOSFET，具有低阻抗、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试等特点，非常适合高效的电源转换和有源功率因数校正应用。

FAIRCHILD FDA20N50F 说明书

FDA20N50F N-Channel MOSFET是一款高性能N沟道增强型功率场效应晶体管，由Fairchild生产。该器件具有低导通电阻、低栅极电容、快速开关速度、100%雪崩测试等特点，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正等应用。

FAIRCHILD FDA20N50 / FDA20N50_F109 说明书

FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild生产的采用DMOS技术的N通道增强型功率场效应晶体管。它具有22A，500V，RDS(on) = 0.23Ω @VGS = 10 V，低栅极电荷（典型值45.6 nC），低Crss（典型值27 pF），快速开关，100％雪崩测试，改善的dv/dt能力等特点。

FAIRCHILD FDA18N50 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation公司的UniFET TM FDA18N50 500V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括19A的电流、500V的电压、低的电荷和电容、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDA16N50 / FDA16N50_F109 说明书

FDA16N50 / FDA16N50_F109 500V N-Channel MOSFET 是一款低阻抗、低栅极电荷、低寄生电容、高开关速度、100% 雪崩测试的 N 沟道 MOSFET。

FAIRCHILD FDB3502 说明书

该PDF文件是关于FDB3502 N-Channel Power Trench® MOSFET的产品手册，该产品具有Max rDS(on) = 47mΩ at VGS = 10V, ID = 6A，100% UIL Tested，RoHS Compliant等特点

FAIRCHILD FDD2582 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66mOhm 数据手册

FDD2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型MOSFET，最大电压为150V，最大电流为21A，典型导通电阻为58mΩ。

FAIRCHILD FDD2572 / FDU2572 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm 数据手册

FDD2572 / FDU2572是一种N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应晶体管，具有150V电压、29A电流和54mΩ的导通电阻。它具有低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力和符合AEC Q101标准等特点。

FAIRCHILD FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 13mOhm 数据手册

FDD16AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超级沟槽MOSFET，其特点是Rds(on)为13mOhm(典型值)，Vgs为10V，ID为50A，Qg(tot)为31nC(典型值)，Vgs为10V，低Miller充电，低Qrr体二极管，UIS能力(单脉冲和重复脉冲)，合格AEC Q101，以前为开发型82660。应用包括42V汽车负载控制、起动/交流发电机系统、电子动力转向系统、电子气门杆系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRM、24V和48V系统的主开关。

FAIRCHILD FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 14A, 120mOhm 数据手册

FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 14A, 120mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低漏电流、低导通电阻、高耐压、高耐温的N沟道MOSFET，适用于DC/DC Converters和Off-line UPS、Distributed Power Architectures和VRMs、Primary Switch for 24V and 48V Systems、High Voltage Synchronous Rectifier、Direct Injection / Diesel Injection Systems、Electronic Valve Train Systems等应用场景。

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