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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS50UM-3 数据手册

该文档介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS50UM-3型号的特点和特性，适用于高速开关用途，如电机控制、灯控制、电磁阀控制、DC-DC转换器等。

FS50UM-2是MITSUBISHI生产的一款Nch功率MOSFET，适用于电机控制、灯光控制、继电器控制、DC-DC转换器等场景。其最大电压为100V，最大电流为50A，典型导通电阻为55mΩ。

FS50UM-06是三菱电机生产的一款Nch功率MOSFET，具有高开关速度、低导通电阻和大电流输出等特点，适用于电机控制、灯光控制、继电器控制等应用场合

FS50SMJ-3是三菱生产的一款Nch功率MOSFET，额定电压为150V，最大电流为50A，集成了快速恢复二极管，开关速度快，适用于电机控制、灯光控制、电磁阀控制等应用场合。

FS50VSJ-3是三菱生产的一款Nch功率MOSFET，其特点是开关速度快，应用范围包括电机控制、灯光控制、电磁铁控制、DC-DC转换器等。

该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS50VSJ-2高速开关用途，包括电机控制、灯控制、电磁控制和DC-DC转换器等。提供了产品的尺寸、最大额定值以及电气特性参数。

FS50VSJ-06是MITSUBISHI推出的一款Nch功率MOSFET，其最大导通电阻为20mΩ，最大工作电压为60V，最大工作电流为50A，典型开关速度为70ns。

该文档介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS50VSJ-03高速开关用途的特点和特性，适用于电机控制、灯控制、电磁阀控制、DC-DC转换器等应用。

FS50VS-3是MITSUBISHI生产的一款高性能功率MOSFET，其最大导通电阻为31mΩ，最大漏源电压为150V，最大漏源电流为50A。该器件采用TO-220S封装，适用于电机控制、灯光控制、继电器控制、DC-DC转换器等应用场合。

该文件是关于MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS50VS-2的大致图纸和参数。该产品适用于高速开关用途，如电机控制、灯控制、电磁阀控制和DC-DC转换器等。它具有100V的漏极-源极电压、50A的漏极电流和55mΩ的漏极-源极电阻。

该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS50VS-06型号的特点和特性，包括高速开关使用应用、电气特性参数等。

FS50UMJ-3是三菱生产的一款高性能Nch功率MOSFET，其最大导通电阻为30mΩ，额定电流为50A，最大关断时间为1.5ns。该器件适用于电机控制、灯光控制、继电器控制等应用场合。

FS50UMJ-2是三菱电机生产的一款Nch功率MOSFET，其最大工作电压为100V，最大工作电流为50A，额定导通电阻为48mΩ。FS50UMJ-2具有高速度开关特性，适用于电机控制、灯光控制、继电器控制等应用。

IXTH 12 N50A是IXYS公司的一款N通道增强型功率MOSFET，最大电压500V，最大电流12A，最大阻抗0.4欧姆。

这是 IXYS 公司的 10P50 和 11P50 型号的标准功率 MOSFET 器件的参数手册。该器件具有国际标准封装，低 RDS(on) HDMOSTM 工艺，坚固的聚硅栅单元结构，未夹紧的线圈开关 (UIS) 额定，低封装电感，易于驱动和保护。

本文档介绍了IXYS公司生产的一款电源MOSFET产品的特点和特性，具有高功率耗散、隔离安装表面、2500V电气隔离等特点。

5N50P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，其特点是国际标准封装，无钳位电感开关（UIS）额定，低封装电感易于驱动和保护，具有易于安装、节省空间和高功率密度等优点。

这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。

该文件介绍了IXYS公司的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低导通电阻、坚固的多晶硅栅电池结构、低封装电感、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。

该文件介绍了IXTH 30N50型号的产品特点和特性。