SIEMENS 4M x 4-Bit Dynamic RAM Advanced Information HYB5116400BJ -50/-60/-70 HYB5116400BT -50/-60/-70 HYB 5116400BJ/BT 4M x 4-DRAM是一款16MBit动态随机存储器，组织为4194304字节，由4位组成。HYB 5116400BJ/BT采用亚微米CMOS硅栅极工艺技术，以及先进的电路技术，提供内部和系统用户广泛的操作余量。多路复用地址输入允许HYB 5116400BJ/BT采用标准SOJ 26/24或TSOPII-26/24塑料封装，两者均具有300 mil宽度。这些封装提供高系统互连性、高可靠性和成本效益。
MICROCHIP MCP6281/2/3/4/5 450 µA, 5 MHz Rail-to-Rail Op Amp数据手册 MCP6281/2/3/4/5是一款由Microchip科技公司设计的低功耗模拟放大器，具有宽带宽、低静态电流和单电源供电。该器件支持从2.2V至5.5V的宽电源电压范围，适用于各种应用场合。
NEC NE650R479A Data Sheet NE650R479A是一款0.4瓦的GaAs MES FET，设计用于移动通信手持设备和基站系统的中功率发射机应用。它能够以高线性增益、高效率、优异失真输出0.4瓦功率（CW），适用于NE6500379A等产品的驱动放大器。NEC通过严格的质量和控制程序保证可靠性和性能一致性。
ROHM RT1A050ZP 说明书 1.5V Drive Pch MOSFET RT1A050ZP是ROHM公司生产的一种低压驱动P通道MOSFET。它具有低导通电阻、高功率封装和低压驱动等特点，适用于开关电路。
ROHM RSD150N06 数据手册 该文件为ROHM公司的数据表，介绍了4V驱动的N沟MOSFET RSD150N06的特点和应用领域。该产品具有低导通电阻、快速开关速度、简单的驱动电路和易于并联使用等特点。
ROHM RSD050N06 说明书 RSD050N06是ROHM公司生产的一款N沟道MOSFET，其额定电压为60V，门极电压为20V，最大电流为5.0A，开关速度快，驱动电路简单，应用于开关电源等场合。
ROHM RRH050P03 说明书 RRH050P03 Pch -30V -5A Power MOSFET 是ROHM公司生产的一款功率MOSFET，它具有低导通电阻、内置栅-源保护二极管、小型封装等特点。
ROHM Semiconductor RMW150N03 Data Sheet RMW150N03是ROHM公司生产的一款4.5V驱动的N沟道MOSFET，具有高功率封装、高开关速度、低导通电阻等特点。
