FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQP7N65C/FQPF7N65C型号的650V N沟道MOSFET的特点。它采用了Fairchild公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP9N25C/FQPF9N25C 250V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1) FQP9N25C/FQPF9N25C是Fairchild生产的N-Channel增强型功率场效晶体管，具有低RDS(on)、低Crss、快速开关和100%的雪崩测试等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器、不间断电源和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQP9N25C/FQPF9N25C 250V N-Channel MOSFET 说明书(1) FQP9N25C/FQPF9N25C QFET ® N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种高性能功率场效应晶体管，具有低导通电阻、快速开关和高dv/dt能力等特点。该器件适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC逆变器和不间断电源等应用场合。
FAIRCHILD FQP9N50C/FQPF9N50C 500V N-Channel MOSFET 说明书 FQP9N50C/FQPF9N50C QFET 500V N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术，该技术经过精心设计，可最大限度地降低开关电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF9N50CF 500V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1) 该数据表格提供了FQPF9N50CF产品的详细信息，包括产品型号、封装、引脚、最大电压、电流、功率、温度等参数。
FAIRCHILD FQPF9N50CF 500V N-Channel MOSFET 说明书(1) FQPF9N50CF是一款500V N-Channel MOSFET，特点包括9A电流、0.85Ω的RDS(on)、低门电荷、快速开关、100%阻断电流测试等。
FAIRCHILD FQPF9P25 250V P-Channel MOSFET 说明书(1) FQPF9P25是一种250V P通道MOSFET。它具有低门控电荷（典型为29 nC）、低Crss（典型为27 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQT4N25 250V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1) FQT4N25是飞利浦公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞利浦公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲，适用于高效率的开关DC/DC转换器和开关模式电源。
FAIRCHILD FQT4N25 250V N-Channel MOSFET 说明书(1) FQT4N25是Fairchild生产的一种250V N沟道MOSFET。它的特点是低导通电阻、低栅极电荷、低反向电容，适用于高效率的开关DC/DC转换器和开关电源。
