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三菱 BA01232 说明书

BA01232是一款GaAs RF放大器，设计用于W-CDMA手持电话。具有低压、高功率、高增益、内部匹配等特点。

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MGFK25V4045是英飞凌公司推出的一款内部匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5GHz频段放大器设计。该器件具有高功率输出、高线性增益和高功率附加效率等特点，适用于14.0-14.5GHz频段功率放大器。

MGFC45V6472A 是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专门设计用于6.4-7.2GHz 频段放大器。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装。

MGFC45V3642A是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为用于3.6-4.2GHz频段放大器而设计。该设备具有高可靠性，并提供高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGFC44V6472是一款内部匹配的GaAs功率FET，专为用于6.4-7.2GHz带宽放大器而设计。该密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC44V3642是一款内部匹配的GaAs功率场效应晶体管，专为在3.6-4.2GHz频段放大器中使用而设计。该产品具有高度可靠性，采用钎焊密封的金属陶瓷封装。

MGFC42V7785A是内部匹配的GaAs功率FET，专为7.7-8.5 GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属-陶瓷封装，具有高输出功率、高增益和高效率。

MGFC42V6472A 是一款内部匹配的 GaAs 功率 FET，专为 6.4 - 7.2 GHz 频段放大器而设计。

5.8 ~ 6.75GHz频带的16W内置匹配GaAs FET

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MGFC41V6472是一款内部匹配的功率GaAs FET，专为6.4-7.2 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装确保高可靠性。

MGFC41V3642是一种用于3.6-4.2 GHz频段放大器的GaAs功率FET，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点。

MGFC40V3742是射频功率放大器中的高性能器件，其具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真特性，适用于3.7-4.2GHz频段的功率放大器和数字无线电通信等应用。

MGFC39V6472A是一种内部匹配的高功率GaAs FET，专为在6.4-7.2 GHz频段放大器中使用。该产品具有高输出功率、高功率增益、高功率增益效率和低失真等特点。

MGFC39V5258是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.2-5.8 GHz频段放大器设计。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC39V3742A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为3.7-4.2GHz频带放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC38V6472是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于6.4-7.2 GHz频段放大器。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

MGFC36V3742A是内部匹配的GaAs功率FET，专门设计用于3.7-4.2GHz带宽放大器。产品特性包括：内部匹配到50欧姆系统、高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真。

MGFC42V5964A是一款内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.9 - 6.4 GHz频段放大器而设计。它具有高可靠性，内部匹配到50欧姆系统，具有高输出功率，高功率增益和高功率附加效率。