MITSUBISHI ELECTRIC AN-GEN-062-B 说明书 该文档是关于硅射频功率半导体器件的应用说明，介绍了RA系列（H2S/H2M外观）测试夹具的顶视图和6针式模块的测试夹具的顶视图。
MITSUBISHI ELECTRIC AN-900-027-B 说明书 This is a technical document for the silicon RF power semiconductors RA45H8994M1 and RA45H7687M1. It includes AM-AM, AM-PM and Vgg2-PM measurement results.
MITSUBISHI ELECTRIC RD07MUS2B TETRA 说明书 这是一款硅RF功率半导体应用笔记，介绍了RD07MUS2B TETRA单级放大器在f=350-400MHz，Vdd=7.2V的工作条件下的性能数据。
MITSUBISHI ELECTRIC AN-UHF-072-C 说明书 该应用笔记显示了f=400至527MHz时的RD09MUP2单级放大器RF宽带特性数据（频率特性，Pin与Pout特性，Pout与Vdd特性）
MITSUBISHI ELECTRIC AN-UHF-122 说明书 该文件是关于RD04HMS2和RD70HUF2双级放大器在380-470MHz频率下的应用说明。该放大器具有评估板、频率范围、输入功率、输出功率等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC RD01MUS2 & RD07MUS2B RF characteristics data at135 to 175MHz. (Vdd=7.2V) 说明书 本应用说明书提供了RD01MUS2和RD07MUS2B在135-175MHz带宽下的RF宽带特性数据(频率、输出功率与输入功率、输出功率与Vgg特性)
MITSUBISHI ELECTRIC RD00HVS1 & RD02MUS1B 2-stage amplifier RF performance at f=400-470MHz, Vdd=7.2V (improved stability versions) 说明书 本文档介绍了RD00HVS1和RD02MUS1B 2级放大器在频率范围为400-470MHz，Vdd=7.2V时的射频性能。评估条件包括频率特性、输出功率与输入功率特性以及小信号S参数。文档提供了典型的频率特性数据、输出功率与输入功率特性数据以及小信号S参数数据。
MITSUBISHI ELECTRIC RD04HMS2 & RD70HUF2 two-stage amplifier at f=450-530MHz.(Vdd=12.5V) 说明书 RD04HMS2 & RD70HUF2两级功放器件应用笔记
MITSUBISHI ELECTRIC RD04HMS2 & RD70HUF2 two-stage amplifier at f=330-400MHz.(Vdd=12.5V) 说明书 AN-UHF-130是关于Silicon RF Power Semiconductors的应用笔记，介绍了RD04HMS2 & RD70HUF2 two-stage amplifier
MITSUBISHI ELECTRIC RD01MUS2B single-stage amplifier with f=135-175MHz evaluation board 说明书 本应用笔记提供了RD01MUS2B单级放大器的设计和使用信息。该放大器工作在135-175MHz频段，典型输入功率为30mW，典型输出功率为1.45W。
MITSUBISHI ELECTRIC RD01MUS2B & RD07MUS2B TETRA 2stage amplifier RF characteristics data 说明书 本应用笔记展示了TETRA数据
MITSUBISHI ELECTRIC RD01MUS2B single-stage amplifier with f=890-941MHz evaluation board 说明书 该文件是关于RD01MUS2B单级放大器的评估板，频率范围为890-941MHz，具有典型的输入功率30mW和输出功率1.5W等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0921A RF TEST DATA for Freq.=1.85-1.95GHz BAND 说明书 该文档展示了MGF0921A的射频特性数据，包括频率范围、功率输出、输入功率等参数。
