PHILIPS SA612A 数据手册 SA612A是PHILIPS公司生产的一款低功耗Vhf单片双平衡混频器，内置振荡器和电压调节器，适用于信号频率低至500MHz、本地振荡器频率高达200MHz的低成本、低功耗通信系统。
NEC N-CHANNEL GaAs MES FET NE650R279A 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET 数据手册 NE650R279A是NEC公司推出的一款0.2W GaAs MES FET，用于中功率发射器应用，适用于移动通信手柄和基站系统。该产品具有高线性增益、高效率、优异失真，可作为NE6500379A等产品的驱动放大器。
NEC NE662M16 数据手册 NE662M16是NEC公司的一款NPN硅高频晶体管，具有高增益带宽（fT=25GHz），低噪声系数（NF=1.1dB@2GHz），高最大稳定增益（20dB@f=2GHz），采用低封装（M16），高度仅为0.50mm。
ST M74HC00 QUAD 2-INPUT NAND GATE 数据手册 M74HC00是高速度 CMOS 四个 2 输入 NAND 门，采用硅栅 C2MOS 技术制造。内部电路包括 3 个阶段，包括缓冲输出，从而实现高噪声免疫性和稳定输出。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。
ST M74HC02 QUAD 2-INPUT NOR GATE 数据手册 M74HC02是高性能CMOS四路2输入NOR门，采用硅栅C2MOS工艺制造，内部电路由3级缓冲输出组成，具有高噪声免疫性和稳定的输出。所有输入都配备了保护电路，防止静电放电和瞬态过压。
ST M74HC03 QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 数据手册 M74HC03是高压CMOS四个输入开漏Nand门，具有高噪声免疫性和稳定的输出。该器件可以与外部拉高电阻一起，用于有线AND配置。该器件也可以用作LED驱动器和其他需要电流源的应用。所有输入都配备了保护电路，以防静电放电和瞬态过电压。
ST M74HC08 QUAD 2-INPUT AND GATE 数据手册 M74HC08是高速度CMOS QUAD 2-输入与门，采用硅门C2MOS技术制造。内部电路由2个阶段组成，包括缓冲输出，可实现高噪声免疫性和稳定的输出。所有输入均配备保护电路，以防静电放电和瞬时过电压。
ST M74HC123 DUAL RETRIGGERABLE MONOSTABLE MULTIVIBRATOR 数据手册 M74HC123是高速度 CMOS 单稳态多谐振器，采用硅栅 C2MOS 技术制造。
ST M74HC125 QUAD BUS BUFFER (3-STATE) 数据手册 该文档介绍了M74HC125这款高速CMOS四路缓冲器的特点和特性，包括高速传输、低功耗、高噪声抗干扰能力、对称输出阻抗、平衡传播延迟和广泛的工作电压范围等。
ST M74HC132 QUAD 2-INPUT SCHMITT NAND GATE 数据手册 M74HC132是CMOS四输入施密特NAND门，具有高速度、低功耗、高噪声免疫、对称输出阻抗、平衡传播延迟和宽工作电压范围等特点。
ST M74HC139 DUAL 2 TO 4 DECODER/DEMULTIPLEXER 数据手册 M74HC139是一种高速度CMOS四路双输入与门，采用硅栅C2MOS工艺制造。活动低使能输入可以用作门控或作为解复用应用的数据输入。在使能输入保持高电平时，所有四个输出都独立于其他输入而保持高电平。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。
ST M74HC20 数据手册 M74HC20是高速度CMOS双4输入NAND门，采用硅栅C2MOS工艺制造。内部电路由3级包括缓冲输出，具有很高的噪声免疫和稳定的输出。所有输入都配备了保护电路，以防止静电放电和瞬态过电压。
ST M74HC238 数据手册 该文档介绍了M74HC238，这是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS 3到8线译码器。它具有高速、低功耗、高噪声抗干扰、对称输出阻抗、平衡传播延迟和宽工作电压范围等特点。
