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ST STP20N06/STP20N06FI 数据手册

STP20N06 是 STP 生产的一款 60V 低阻抗功率 MOS 管，其典型 RDS(on) 为 0.06 欧姆，支持重复雪崩测试，最大结温 175℃。该 MOS 管主要应用于高电流、高频开关、继电器驱动、电源稳压、DC-DC 与 DC-AC 转换器、电机控制、音频放大器等应用。

ST STP20N10L/STP20N10LFI 数据手册

STP20N10L STP20N10LFI是低阈值功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.09欧姆，具有开关速度快、电流能力强、工作温度高等特点，可广泛应用于电磁阀、继电器驱动器、稳压器、DC-DC与DC-AC转换器、电机控制、音频放大器等领域。

ST STP20NE06/STP20NE06FP 数据手册

STP20NE06是STMicroelectronics最新开发的“单特征尺寸”条带工艺。该晶体管表现出极高的封装密度，具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和更少的关键对齐步骤，因此具有可观的制造可重复性。

ST STP20NE06L/STP20NE06LFP 数据手册

STP20NE06L是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET，额定电压为60V，漏极电流为20A，开关时间快，耐压高，工作温度范围广，广泛应用于DC电机控制、DC-DC/DC-AC转换器、同步整流等场合。

ST STP20NE10 数据手册

STP20NE10是SGS-THOMSON公司生产的一款N沟道100V 0.07Ω 20A的TO-220封装STripFET MOSFET。该产品具有典型RDS(on) = 0.07 Ω、卓越dv/dt能力、100%雪崩测试、应用导向的特性描述等特点。

ST STP20NK50Z/STW20NK50Z 数据手册

STP20NK50Z - STW20NK50Z是ST公司推出的一款N沟道500V - 0.23Ω - 20A TO-220/TO-247 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET，具有典型RDS(on) = 0.23 Ω、极高dv/dt能力、100% Avalanche测试、最小化栅极电荷、非常低的固有电容和非常好的制造重复性等特点。

ST STB20NM50/STB20NM50-1/STP20NM50/STP20NM50FP 数据手册

STB20NM50-1是ST公司生产的一款N沟道MOSFET器件，具有550V@Tjmax的最大电压，0.20Ω的导通电阻，20A的电流，TO220/FP-D²PAK-I²PAK的封装形式。

ST STP20NM50FD/STB20NM50FD-1 数据手册

该文档介绍了STP20NM50FD和STB20NM50FD-1型号的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、高dv/dt和雪崩能力、低输入电容和门电荷、紧密的工艺控制和高制造良率等特点。建议在桥式拓扑中使用，特别是零电压开关（ZVS）相移变换器。

ST STP20NM60/STP20NM60FP/STW20NM60/STB20NM60/STB20NM60-1 数据手册

该文件介绍了MDmesh™ MOSFET系列产品的特点和特性，包括低导通电阻、高dv/dt和电击特性等。

ST STEVAL-ISA046V2 数据手册

这是一款基于ST1S09的2 A / 3.3 V高效同步降压转换器评估板，具有抑制功能

ST STEVAL-ISA045V2 数据手册

这是一款2A/3.3V高效同步降压转换器评估板，基于ST1S09，具有2.7V至5.5V输入电压范围、3.3V输出电压、2A最大电流、1.5MHz高内部开关频率、短路保护等特点

ST STP210NF02/STB210NF02/STB210NF02-1 数据手册

STMicroelectronics' STP210NF02 is a N-channel 20V - 0.0026 Ω - 120A D²PAK/I²PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET with typical RDS(on) = 0.0026Ω, standard threshold drive and 100% avalanche tested. It is suitable for high current, high speed switching, solenoid and relay drivers, motor control, audio amplifiers, DC-DC & DC-AC converters.

ST STP21N05L/STP21N05LFI 数据手册

STP21N05L STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR 是 ST 公司生产的一款 50V 额定电压、21A 额定电流的 MOS 管，具有低 RDS(on)、低 Qg、逻辑电平兼容性等特点，适用于高电流、高频开关、继电器驱动等应用场合。

ST STEVAL-ISA051V2 数据手册

这是一份关于STMicroelectronics PM6670AS芯片的DDR2/3内存电源控制器评估板的数据简报。该评估板具有4.5V至36V的输入电压范围，提供0.9V、1.8V或1.5V的输出电压，具有快速负载瞬态响应、无电流感应、负电流限制等特性。

ST STEVAL-ISA044V2 数据手册

本文档介绍了STMicroelectronics的ST1S10型号的3A同步降压DC-DC转换器的特点和特性，包括输入电压范围、最大输出电流、高内部开关频率、PWM模式操作、抑制引脚、静态电流等。

ST STP21N06L/STP21N06LFI 数据手册

STP21N06L是一款N沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管，具有低导通电阻、100%的冲击测试、低门电荷、逻辑电平兼容输入、175℃的工作温度等特点。该产品适用于高电流、高速开关、电磁阀和继电器驱动器、稳压器、直流-直流和直流-交流转换器、电机控制、音频放大器和汽车环境等应用。

ST STP22NE03L 数据手册

STP22NE03L 是 SGS-THOMSON 最新推出的独特“单一特征尺寸” (Single Feature Size™) 条带工艺的功率 MOSFET。该晶体管具有极高的封装密度，可降低导通电阻，并且具有坚固的雪崩特性和较少的关键对准步骤，因此具有显著的制造可重复性。

ST EVL6562A-400W 数据手册

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ST STP22NE10L 数据手册

STP22NE10L是意法半导体的一款N沟道MOSFET，其典型RDS(on)为0.07 Ω，低阈值驱动，逻辑电平驱动。主要应用于高电流、高速度开关、继电器驱动、电机控制、音频放大器、DC-DC和DC-AC转换器等场合。

ST STP22NF03L 数据手册

STP22NF03L N-CHANNEL 30V - 0.038Ω - 22A TO-220 STripFET™ POWER MOSFET，该产品具有非常低的导通电阻，极好的dv/dt能力和100°C低门极电荷。它适用于DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、高电流、高速度开关、继电器驱动器和汽车环境等应用