该数据手册介绍了IS41C85120A和IS41LV85120A,它们是524,288 x 8-位高性能CMOS动态随机存取存储器。两款产品都提供加速循环访问EDO页模式。EDO页模式允许在单个行内进行512次随机访问,访问周期时间最短为10ns/8位字。Byte Write控制的上/下字节使IS41C85120A和IS41LV85120A非常适合用于16和32位宽数据总线系统。这些特性使IS41C85120A和IS41LV85120A非常适合高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
该文档介绍了Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)的IS41LV16256B产品的特点。该产品是262,144 x 16位高性能CMOS动态随机存取内存,具有TTL兼容的输入和输出,刷新间隔为512个周期/8毫秒,支持刷新模式和JEDEC标准引脚配置,单电源供电,适用于16位和32位数据总线系统。