FAIRCHILD MMBT2222AT NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 MMBT2222AT是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种NPN结型硅晶体管。它是一款通用放大器晶体管，适用于所有类型的超小型表面贴装封装。它还可用于一般开关和放大应用。
FAIRCHILD KST92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST92/KST93 是FAIRCHILD生产的PNP型电晶体，具有高电压、高电流、宽SOA特性。
FAIRCHILD KST2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型NPN三极管，其最大电流为-600mA，最大功率为350mW，工作温度范围为-55~150℃。
FAIRCHILD KST2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST2222A 是 NPN 型三极管，最大集电极-发射极电压为 40 V，最大集电极-发射极反向电压为 75 V，最大发射极-基极电压为 6 V，最大集电极电流为 600 mA，最大集电极功耗为 350 mW。
FAIRCHILD KSP42/43 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP42/43是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型高压晶体管，其最大集电极-发射极电压为300V，最大集电极-发射极功耗为625mW。
FAIRCHILD KSP2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSP2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP通用放大器，其特点是集电极-发射极电压为VCEO= 60V，集电极功耗为PC（最大）= 625mW。该芯片有带“-C”和不带“-C”的两种封装，带“-C”的封装为中心集电极，不带“-C”的封装为侧面集电极。该芯片的型号为PN2907A。
FAIRCHILD KSP2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文件是关于KSP2222A NPN通用放大器的说明书。该产品的特点包括：集电极-发射极电压为40V，集电功率耗散为625mW。
FAIRCHILD KSD261 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSD261是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型集成电路，其最大集电极电流为500mA，最大集电极-发射极电压为20V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
FAIRCHILD KSC3265 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件介绍了KSC3265型号的NPN硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它具有30V的集电极-基极电压、25V的集电极-发射极电压、5V的发射极-基极电压以及800mA的集电极电流等特点。
FAIRCHILD KSC2383 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2383是Fairchild Semiconductor Corporation推出的NPN型晶体管，其最大额定电压为160V，最大额定电流为1A，最大额定功率为900mW，典型工作温度为-55°C至150°C。
FAIRCHILD KSC2331 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2331是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款NPN Epitaxial Silicon Transistor，具有低频放大器和中速开关功能，可以补充KSA931，额定最大集电极-基极电压为80V，集电极电流为700mA，集电极功耗为1W。
FAIRCHILD KSC2330 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2330是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，具有以下特点:最大集电极-发射极电压300V，最大集电极-基极电压300V，最大发射极-基极电压7V，最大集电极电流100mA，最大集电极功耗1W，最大结温150°C，存储温度范围-55~+150°C。
FAIRCHILD KSC2328A NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2328A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，其最大集电极-基极电压为30V，最大集电极-发射极电压为30V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极电流为2A，最大集电极功耗为1W，最大结温为150℃，最大存储温度为-55℃至150℃。
FAIRCHILD KSC2316 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC2316是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管。其最大集电极-发射极电压可达120V，最大集电极-发射极饱和电压可达1V。该管件适用于音频功率放大器应用，如驱动级放大器和KSA916的补充器。
FAIRCHILD KSC1623 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSC1623是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN晶体管，其最大集电极-基极电压为60 V，最大集电极-发射极电压为50 V，最大发射极-基极电压为5 V，最大集电极电流为100 mA，最大功率为200 mW，最高结温为150 °C，工作温度范围为-55 ~ 150 °C。其额定直流电流增益为90 ~ 600。
FAIRCHILD TN6726A/NZT6726 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 TN6726A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP通用功率放大器和开关，最大集电极电流为1.0 A。
FAIRCHILD TN2907A PNP General Purpose Amplifier 数据手册 TN2907A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP通用功率放大器和开关，可以承受500mA的集电极电流。
