Search Manuals

FAIRCHILD HUF75852G3 说明书

HUF75852G3是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel, UltraFET® Power MOSFET，其特点是超低的开关电阻（rDS(ON) = 0.016Ω, VGS = 10V），并提供仿真模型、可靠性信息等。

FAIRCHILD HUF75842P3, HUF75842S3S 说明书

HUF75842P3 和 HUF75842S3S 是 43A、150V、0.042 欧姆 N 通道超低 on-resistance 的 Fairchild 超级 FET 功率 MOSFET。

FAIRCHILD HUF75652G3 说明书

HUF75652G3是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，其特点是开关电阻低，最大承受电压为100V，最大电流为75A。

FAIRCHILD HUF75542P3, HUF75542S3S 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75542P3和HUF75542S3S产品的特点和特性，包括超低导通电阻、模拟模型、峰值电流与脉冲宽度曲线等。

DUKANE 28A8747 Users Manual

使用手册介绍了ImagePro 8747投影仪的功能

FAIRCHILD HUF75332G3, HUF75332P3, HUF75332S3S 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的HUF75332G3、HUF75332P3、HUF75332S3S型号的N-Channel UltraFET功率MOSFET。这些器件采用创新的UltraFET工艺制造，具有最低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受大能量的冲击，并具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它们广泛应用于功率效率重要的领域，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品中的电源管理。

FAIRCHILD HUF75329D3, HUF75329D3S 说明书

这份文档介绍了HUF75329D3和HUF75329D3S两款N-Channel UltraFET功率MOSFET，其采用创新的UltraFET工艺制造，具有低电阻和优异性能。该器件适用于功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关转换器、马达驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携和电池操作产品的电源管理。

FAIRCHILD HUF75321P3, HUF75321S3S 说明书

HUF75321P3, HUF75321S3S 35A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs 制造商为Fairchild Semiconductor Corporation。这款产品具有35A, 55V的额定电流和电压。它采用创新的UltraFET®工艺制造，具有最低的硅面积开关阻抗，能实现出色的性能。该器件能够承受高能量雪崩模式，并具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它专为在功率效率至关重要的应用中使用而设计，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

FAIRCHILD HUF75321D3ST 说明书

HUF75321D3ST 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的创新型N通道功率MOSFET，具有最低的硅面积开关阻抗，性能卓越。

DUKANE 28A8751 Users Manual

本手册介绍了液晶投影仪28A8751的特点、使用方法、安装、维护等信息

FAIRCHILD SI4542DY 说明书

Si4542DY是Fairchild Semiconductor International推出的一款30V互补型PowerTrench MOSFET。该器件具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于DC/DC转换器和电源管理应用。

FAIRCHILD SI4532DY 说明书

Si4532DY*是一款双N-和P-通道增强型场效应晶体管，具有特殊的特性和特点。

FAIRCHILD RFP12N10L 说明书

RFP12N10L 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors，专为使用logic level (5V) driving sources的应用而设计，如programmable controllers、automotive switching和solenoid drivers。

FAIRCHILD RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFP12N06RLE 说明书

RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFP12N06RLE 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET。该产品具有超低导通电阻、温度补偿的PSPICE®和SABER©电气模型、Spice和SABER©热阻模型等特点。

FAIRCHILD NDT452AP 说明书

NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor是一款功率场效应晶体管，使用Fairchild's独家高密度DMOS技术，具有极低的RDS(ON)和出色的开关性能。

FAIRCHILD NDT2955 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的60V P-Channel增强模式场效应晶体管的特点和特性，主要用于电源管理应用。

FAIRCHILD NDS9952A 说明书

该文件介绍了1996年2月发布的NDS9952A双N&P通道增强模式场效应晶体管的绝对最大额定值和热特性。该产品采用高密度DMOS技术生产，具有低开通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的特点。适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。

FAIRCHILD NDS8425 说明书

NDS8425是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道MOSFET，使用PowerTrench工艺制造，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于DC/DC转换器和负载开关等应用

DUKANE 28A8755A Users Manual

本手册介绍了28A8755A型液晶投影仪的功能、特点、使用方法等。

DUKANE 8755G/8912/8913 Users Manual

本文档介绍了便携式LCD投影仪型号8755G 8912 8913的用户手册，包括产品的特点和使用指南。