MOTOROLA MC100LVE210/MC100E210 数据手册(1) MC100LVE210是一款低压、低偏移双差分ECL分频缓冲器，专为时钟分配设计。该器件在一个芯片上集成了一个1:4和一个1:5缓冲器。采用全差分时钟路径，以最小化器件和系统偏移。双缓冲器允许通过单个芯片进行两个信号的分频，从而将两个基本信号之间的偏移从部件到部件偏移减少到输出到输出偏移。与使用两个LVE111相比，这种能力将偏移减少了4倍。MC100LVE210在-3.3V供电的情况下工作，而MC100E210则从标准的-4.5V 100E电压供应提供相同的功能和性能。
MOTOROLA MC10E211/MC100E211 数据手册 MC10E/100E211是一款低偏移1:6分频器，专为低偏移时钟分配应用而设计。该设备可以由差分或单端ECL驱动，或者如果使用正电源，则可以由PECL输入信号驱动（PECL是Positive ECL的缩写，PECL电平是相对于+5V而不是地的ECL电平）。如果要使用单端输入，VBB引脚应连接到CLK输入，并通过0.01µF电容器旁路到地。VBB供电被设计为在单端输入条件下作为E211输入的切换参考，因此该引脚只能提供/吸收最多0.5mA的电流。
MOTOROLA MC10E211/MC100E211 数据手册(1) MC10E/100E211是一种低偏置1:6倍频器，专门设计用于低偏置时钟分配应用。它可以由差分或单端ECL驱动，或者如果使用正电源，则可以由PECL输入信号驱动。如果要使用单端输入，则应将VBB引脚连接到CLK输入，并通过0.01µF电容器旁路接地。VBB供应被设计为在单端输入条件下作为E211输入的开关参考，因此该引脚只能源/汇0.5mA电流。
MOTOROLA 3-Bit scannable registered address driver MC10E212 MC100E212 数据手册(1) MC10E/100E212是可扫描注册的ECL驱动器，通常用作ECL缓存驱动器的扇出存储器地址驱动器。在基于VLSI阵列的CPU设计中，使用E212允许用户节省阵列输出单元功能和输出引脚。输入移位寄存器设计有控制逻辑，极大地方便了其在边界扫描应用中的使用。
MOTOROLA 3-Bit scannable registered address driver MC10E212 MC100E212 数据手册(1) MC10E/100E212是一种可扫描的注册ECL驱动器，通常用作ECL缓存驱动器的扇出内存地址驱动器。它具有较大的时钟到输出延迟、双差分输出、主复位和扫描输出等特点。
MOTOROLA 8-Bit scannable register MC10E241 MC100E241 数据手册(1) MC10E/100E241是8位可移位寄存器。与E141等标准通用移位寄存器不同，E241具有内部数据反馈组织，因此SHIFT控制覆盖了HOLD/LOAD控制。这使得可以使用单个控制线切换正常的HOLD和LOAD操作，而无需外部门控。它还可以通过单个SHIFT控制线切换到扫描模式。8个输入D0-D7接受并行输入数据，而在移位模式下S-IN接受串行输入数据。数据在CLK的正向上升沿之前接受一个设置时间;移位也发生在正时钟边缘。Master Reset引脚(MR)上的高电平异步将所有寄存器重置为零。
MOTOROLA MC10E256/MC100E256 数据手册(1) MC10E/100E256是一款3位4:1多路复用器，它具有透明锁存器和差分输出。当锁存使能(LEN)为低时，锁存器是透明的，输出数据由多路复用器选择控制。LEN高电平会锁存输出。主复位(MR)会覆盖所有其他控制，将Q输出设置为低。
MOTOROLA MJ16010 MJW16010 MJ6012 MJW16012 数据手册 这些晶体管专为在感应电路中进行高压、高速、功率开关而设计，其中下降时间至关重要。它们特别适用于线路操作开关模式应用。MJ16012 和 MJW16012 是 MJ16010 和 MJW16010 的高增益版本，适用于驱动电流有限的应用。•开关电源•快速关断时间 - TC = 100 °C•逆变器 50 ns 感应下降时间（典型）•线圈 90 ns 感应交叉时间（典型）•继电器驱动器 800 ns 感应存储时间（典型）•电机控制•100�C 性能指定为：•偏转电路反向偏置 SOA 感应负载开关时间感应负载饱和电压泄漏电流
MOTOROLA MJW16212* 数据手册 MJW16212是摩托罗拉的新型双极功率晶体管，具有1500伏的集电极-发射极击穿能力、典型的动态去饱和特性、特定应用的先进芯片设计、快速开关特性(200ns的感应下降时间和2000ns的感应存储时间)、低饱和电压(0.15伏，5.5安培集电极电流和2.5安培基极驱动)、低集电极-发射极泄漏电流(250微安，1500伏集电极-发射极电压)、高发射极-基极击穿能力(8.0伏，用于高压关断驱动电路)
ON Semiconductor MJW18020 数据手册 MJW18020是一款平面高压功率晶体管，专为电机控制应用、高功率电源和UPS设计，其直流和开关参数的高可重复性最小化了桥接配置中的死区时间。主要特点包括：高和优异的增益线性度、快速和非常紧密的开关时间参数tsi和tfi、由平面结构引起的非常稳定的漏电流、高可靠性。
ON Semiconductor MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN) 数据手册 MJW21193和MJW21194采用了穿孔发射极技术，专为高功率音频输出、磁盘磁头位置器和线性应用而设计。具有低谐波失真、高直流电流增益、优秀的增益线性和高SOA特性。
ON Semiconductor MJW21195 (PNP) MJW21196 (NPN) 数据手册 MJW21195/D是onsemi的一款优先产品，它采用了穿孔发射器技术，专门设计用于高功率音频输出、磁头定位器和线性应用。MJW21195/D具有以下特点：总谐波失真特性、高直流电流增益-hFE=20 Min@IC=8 Adc、优异的增益线性度、高SOA：2.25 A，80 V，1秒。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册 BC807-16/-25/-40是一种PNP表面贴装晶体管，适用于自动插入、开关、AF驱动和放大器应用。它具有理想的插入特性和结构，采用外延平面晶片结构。BC807-16/-25/-40有三种型号，分别是BC807-16、BC807-25和BC807-40。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册(1) BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 是一种理想的用于自动插入的 PNP 表面贴装晶体管，具有平面层叠晶片结构，可用于开关、AF 驱动器和放大器应用。该晶体管具有可补充的 NPN 型号（BC817），符合 RoHS 标准，符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。
BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 General Purpose Transistors 数据手册 该数据表提供了BC807-16LT1的最大额定值、热特性、器件标记、电气特性等信息。
