philips PBSS4230T 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4230T是一款NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电流能力IC和ICM、高效率、降低电路板要求和成本效益高的特点。
philips PBSS4240DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 数据手册 PBSS4240DPN是菲利普半导体公司生产的一款NPN/PNP低VCEsat晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高集电极电流能力、高集电极电流增益、高效率等特点，广泛应用于电源管理和外围驱动等领域。
philips PBSS4240T 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 PBSS4240T是一款40V低VCEsat NPN晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力和改进的器件可靠性等特点，可用于电源线开关电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）等。
philips PBSS4240V 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 PBSS4240V是一款低VCEsat和高电流能力的NPN晶体管，适用于电源管理和外围驱动应用。
philips PBSS4240Y 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 PBSS4240Y是一款高性能的40V低Vcesat NPN晶体管。它具有低收集器-发射极饱和电压、高电流能力和增强的性能。它广泛应用于电源线切换电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备(电动机和灯驱动器)。
philips PBSS4320X 20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4320X是PHILIPS生产的一款低VCEsat（BISS）型号的NPN晶体管，其特点是SOT89（SC-62）封装，低饱和压降，高效率，低发热，适用于驱动功率转换器，电池充电器，LCD背光等应用
philips PBSS4320T 20 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 PBSS4320T是一款20V低VCEsat NPN晶体管，具有低的集电极-发射极饱和电压VCEsat和相应的低RCEsat，高集电极电流能力，高集电极电流增益以及降低热量产生带来的改进效率等特点。
philips PBSS4250X 50 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该数据表提供了50V，2A NPN低VCEsat（BISS）晶体管PBSS4250X的特性、应用、描述、引脚、参数等信息。
philips PBSS4520X 20 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4520X是Philips Semiconductors生产的一款NPN低Vcesat (BISS)晶体管，其特点是高hFE和低Vcesat，最高电流为5A，高效率，低热量
philips PBSS5120T 20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5120T是菲利普半导体公司推出的一款PNP BISS晶体管，具有超低VCEsat和RCEsat参数。该晶体管适用于电源管理、DC/DC转换、供电线切换、电池充电器、LCD背光等应用。
philips PBSS5230T 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS5230T型号的30V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、高效率、减少热量生成以及在特定应用中作为MOSFET的经济有效替代品等。
philips PBSS5240T 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5240T 是 Philips Semiconductors 公司的 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 。产品特点是低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、降低热量产生提高了器件的可靠性。可应用于供电线路开关电路、电池管理应用、DC/DC 转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）中。
philips PBSS5240V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5240V是一款低Vcesat PNP晶体管，具有高电流能力和高效率，可用于电源管理和周边驱动等应用。
philips PBSS5240Y 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5240Y是PHILIPS生产的一款低Vcesat PNP管，具有低饱和压降、高电流能力、改进的器件可靠性和增强的性能等特点，可应用于电源线开关电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）等
philips PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档介绍了PBSS5250T型号的50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量生成和减少印刷电路板需求等。该晶体管适用于电源管理、外围驱动等应用。
philips PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档是关于PBSS5250X 50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的数据表。该晶体管具有低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量产生和减少印刷电路板需求等特点。适用于功率管理和外围驱动等应用。
philips PBSS5320T 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5320T是一款20V、3A的PNP低VCEsat(BISS)晶体管，具有低发热率、高效率、高电流等特点。适用于电源管理、低功耗DC/DC转换器、供电线路切换、电池充电器等应用。
philips PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5320X是飞利浦半导体公司生产的一款PNP低VCEsat（BISS）晶体管，具有SOT89（SC-62）封装，低集电极-发射极饱和电压VCEsat，高集电流能力：IC和ICM，更高效率导致更少的热量产生，降低印刷电路板要求。应用包括电源管理、DC/DC转换器、电源线开关、电池充电器、LCD背光等。
philips PBSS5520X 20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5520X 是 Philips Semiconductors 生产的一款 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管，具有高 hFE 和低 VCEsat 的特点。主要应用于中功率外设驱动器 (如风扇和电机)、数码静态相机和手机的闪光灯单元、LAN 和 ADSL 系统的电源开关、中功率 DC-DC 转换、充电器和电源线开关等场景。
