Search Manuals

HTC HD2 User Manual(1)(1)

本手册介绍了HTC HD2智能手机的功能和使用方法。

HTC HD2 User Manual(2)

本手册介绍了HTC HD2的使用方法

TEXAS INSTRUMENTS TLE202x, TLE202xA, TLE202xB, TLE202xY EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS Data Sheet

TLE202x, TLE202xA, TLE202xB, TLE202xY 是德州仪器的新一代高精度、高速度、低功耗运算放大器，使用Excalibur工艺制造。

HTC Smart User guide(2)

本指南介绍了HTC Smart手机的基本使用方法，如充电、选择资费计划、了解隐私法等

HOLTEK HT1626 RAM Mapping 48 Manual

HT1626是专为I/O类型的MCU设计的外围设备，用于扩展显示功能。该设备的最大显示段数为768个（48*16）。它还支持串行接口、蜂鸣声、看门狗定时器或定时基准定时器功能。HT1626是一款存储映射和多功能LCD控制器。HT1626的软件配置功能使其适用于多个LCD应用，包括LCD模块和显示子系统。仅需三条线即可在MCU和LCD控制器之间建立接口。

HOLTEK HT6221/HT6222 Multi-Purpose Encoders Manual

HT6221/HT6222 多功能编码器具有 16 位地址码和 8 位数据码，可实现 PPM 编码方式。它是专门设计用于遥控系统的 CMOS LSI 编码器。本文件主要介绍了 HT6221/HT6222 的特点、应用场合和使用方法

SGS-THOMSON MK45H01.02.03 Data Sheet

1

TEXAS INSTRUMENTS TLV247X-Q1 Data Sheet

TLV247x系列是低功耗、高性能的CMOS运放，提供2.8 MHz的增益带宽积，输入偏置电流仅为2.5 pA，输出驱动能力高达±35 mA。

TEXAS INSTRUMENTS TMS320C6211, TMS320C6211B FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS Data Sheet

TMS320C6211和TMS320C6211B是出色的性价比数字信号处理器(DSP)，具有八个32位指令/周期，150MHz和167MHz的时钟频率，6.7ns和6ns的指令周期时间，以及1200和1333 MIPS的性能。

Dell Photo Printer 720 Owner’s Manual

该文件是Dell™ Photo Printer 720的所有者手册，主要介绍了如何订购耗材、开始使用打印机、打印机的使用方法、维护和故障排除等内容。

SGS-THOMSON M28C16 数据手册

该文件介绍了M28C16 16K (2K x 8) 并行EEPROM的特点和特性，包括快速访问时间、低功耗、快速写入周期、数据保护等。

ST M29F102BB 1 Mbit (64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F102BB是单供电闪存，支持1Mbit（64Kb x16，启动块），具有以下特点：单5V±10%供电电压，用于编程、擦除和读取操作；35ns的访问时间；8µs的编程时间，每个字典典型；5个存储块，1个启动块（底部位置），2个参数块和2个主块；嵌入式字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位；擦除暂停和恢复模式，可在擦除暂停期间读取和编程另一个块；解锁旁路编程命令，加快生产/批量编程；临时块保护模式；待机和自动待机，每个块支持100,000次编程/擦除周期；与M28F102兼容，引脚排列和读取模式；20年的存储保留，缺陷率低于1ppm/年；电子签名，制造商代码为0020h，底部设备代码M29F102BB为0097h；兼容无铅焊接工艺，提供无铅版本。

ST M29DW324DT M29DW324DB 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M29DW324DT M29DW324DB 32 Mbit (4Mb x8或2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 是M29DW324DB产品的详细信息手册

ST M29F400BT M29F400BB 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F400BT，M29F400BB为4Mbit（512Kb x 8或256Kb x 16，Boot块）单供电闪存，支持5V±10%电压，读取、编程、擦除时间分别为45ns、8µs、20年数据保留时间，产品特点包括11个存储块、嵌入式字节/字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、解锁旁路编程命令、临时块解保护模式、低功耗

Mitsubishi microcomputers M30201 Group Data Sheet

M30201系列单片机是采用高性能硅栅CMOS工艺，以M16C/60系列CPU核为核心而设计的。M30201系列采用52引脚塑料封装SDIP，或56引脚塑料封装QFP。这些单片机以高效指令运作，具有高指令效率。在1M字节地址空间下，可高速度执行指令。M30201系列包括多种具有不同内存类型和容量、不同封装类型的系列产品。

Samsung M366S2953MTS SDRAM DIMM Data Sheet

Samsung M366S2953MTS是一种64M位x 64同步动态RAM高密度内存模块。它具有同步设计，可实现精确的周期控制。可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。

Samsung 256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM Data Sheet

该文件介绍了DDR SDRAM 256MB、512MB和1GB Registered DIMM的规格和特性。这些模块采用256Mb E-die (x4, x8)技术，具有72位ECC校验和1,700 / 1,200mil高度。供应商查询信息包括不同容量和组织的模块的型号和规格。

ST M440T1MV 3.3V, 32 Mbit (1024 Kbit x 32) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册

M440T1MV 3.3V, 32 Mbit (1024 Kbit x 32) TIMEKEEPER® SRAM是超低功耗SRAM，集成了实时时钟、电源故障控制电路、电池和晶体，具有精密功率监视和电源切换电路，当VCC超出范围时，会自动写入保护。

MITSUBISHI ICs (Monitor) M52743SP/M52744SP Data Sheet

M52743SP/M52744SP是三通道视频预放大器，可通过I2C总线控制主/次对比度和OSD调节功能。

ST M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 具有宽 x16 数据总线，可实现高带宽。供电电压为 VDD = 2.7 至 3.6V 的核心电源电压，用于程序、擦除和读取操作；VDDQ = 1.8V 至 VDD 用于 I/O 缓冲区。它支持同步/异步读取，即同步突发读取、异步随机读取、异步地址锁定控制读取和页读取。访问时间为同步突发读取高达 56MHz；异步页模式读取 90/25ns 和 110/25ns；随机读取 90ns，110ns。它具有 16 字写入缓冲区和 18µs 字有效编程时间。它具有 64 个均匀的 32 KWord 存储块、块保护/取消保护、程序和擦除暂停、128 位保护寄存器、公共闪存接口和 100,000 次程序/擦除周期/块。电子签名为制造商代码：0020h - 设备代码 M58LW032A：8816h。它有 TSOP56（N）14 x 20 毫米 TBGA64（ZA）10 x 13 毫米 TBGA 两种封装。