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Alliance Semiconductor AS7C252MFT18A 2.5V 2M × 18 Flow-through synchronous SRAM

AS7C252MFT18A 是 2.5V 32 Mb 同步 SRAM，具有以下特性：组织方式为 2,097152 个字 × 18 位、快速时钟到数据访问时间为 7.5/8.5/10 ns、快速 OE 访问时间为 3.5/4.0 ns、完全同步流穿操作、异步输出使能控制、可在 100 针 TQFP 封装中使用、单字节写和全局写、多个片选使能用于简化扩展、2.5V 核心电源供应、线性或交错突发控制、省电待机的 Snooze 模式、公共数据输入和数据输出。

ABRACON ASCF21U and ASCF45U DATA SHEET

该文档介绍了CERAMIC SURFACE-MOUNT • 21.4MHz和45MHz FUNDAMENTAL MONOLITHIC CRYSTAL FILTERS ASCF21U和ASCF45U的特点和特性，适用于移动通信系统、寻呼机、蜂窝和无绳电话、收音机等应用。

Alliance Semiconductor ASM3P623S00A/B/C/D/E/F 数据手册

ASM3P623S00A/B/C/D/E/F是一款高性能的低抖动时钟缓冲器，其特点是输入-输出传播延迟为零，输出偏斜小于250ps，设备-设备偏斜小于700ps。

Alliance Semiconductor ASM5P23S04A 数据手册

ASM5P23S04A是一款多功能的3.3V零延迟缓冲器，设计用于在PC、工作站、数据通信、电信和其他高性能应用中分发高速时钟。它具有多个低偏斜输出和多个配置选项，输出到输出的偏斜小于200pS，设备到设备的偏斜小于500pS。它采用先进的0.35µ CMOS技术，可在工业温度下操作。

PHILIPS 74ALVT16541 2.5V/3.3V 16-bit buffer/driver (3-State) 数据手册

该数据手册详细介绍了74ALVT16541的功能特性,包括16位通用总线接口、5V I/O兼容性、3状态缓冲器、输出能力、TTL输入和输出切换电平、输入和输出接口能力到5V电源系统、Bus-hold数据输入、活插拔/抽取、上电3状态、输出连接到5V总线时无总线电流负载、Latch-up保护超过500mA per JEDEC Std 17、ESD保护超过2000V per MIL STD 883 Method 3015和200V per Machine Model等

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 说明书

该文件介绍了AV9012LT1型号的SOT-23封装PNP晶体管的特点和特性，包括功率耗散、集电极电流、集电极-基极电压等参数。

AZ100ELT21 Differential PECL to CMOS/TTL Translator Data sheet

AZ100ELT21是AZmicrotek公司推出的一款PECL与CMOS/TTL转换器，该芯片使用PECL电平，仅需要VCC和地电源，支持3.0V到5.5V电压范围，可以直接替代ON Semiconductor的MC100ELT21，适用于空间、性能和低功耗要求高的应用场景。

EPCOS B32656S Data sheet

该文件介绍了EPCOS AG所生产的B32656S系列金属化聚丙烯膜电容器的特点和特性。该电容器具有高脉冲强度和高接触可靠性，电容值稳定，适用于IGBT噪音滤波等应用。其结构采用聚丙烯膜介质，通过内部串联连接方式制造，外壳采用塑料材料，具有良好的密封性能。终端采用镀锡铜材料，具有很低的电感。该系列产品有多种规格可选，额定电压范围广。

MCC BAV19W THRU BAV21W 数据手册

BAV19W THRU BAV21W是410mW的小信号二极管，额定电压为120至250伏。这些二极管采用硅外延平面结构，适用于通用用途，并提供其他外壳。

BSI BS62LV2006 说明书

BS62LV2006 是一款高性能、超低功耗 CMOS 静态随机访问存储器，组织为 262,144 字节 x 8 位，并在 2.4V 至 5.5V 的宽电源电压范围内工作。先进的 CMOS 技术和电路技术同时提供高速度和低功耗特性，典型 CMOS 待机电流为 0.3uA 在 3.0V/25oC 和最大访问时间为 55ns 在 3.0V/85oC。通过活动低片选 (CE1)、活动高片选 (CE2) 和活动低输出使能 (OE) 以及三态输出驱动器提供简便的内存扩展。BS62LV2006 具有自动电源关闭功能，在片选时显著降低功耗。BS62LV2006 提供 DICE 形式、JEDEC 标准 32 针 450mil 塑料 SOP、8mm x 13.4mm STSOP 和 16mm x 16mm TSSOP 封装。

BSI BS62UV1027 说明书

BS62UV1027是一款高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有广泛的工作电压范围和高速访问时间。该产品具有自动断电功能，在芯片取消选择时可以显著降低功耗。

BSI BS62UV2006 Data Sheet

该文档介绍了一款名为BS62UV2006的高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，具有宽电压操作范围、超低功耗、高速访问时间、自动断电等特点。

KEMET CERAMIC CHIP/STANDARD(2)

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intersil CA3262A/CA3262 说明书

CA3262和CA3262A用于将低电平逻辑与高电流负载相互连接。每个电源驱动器都有四个反相开关，由一个非反相逻辑输入级和一个反相低侧驱动器输出级组成。所有输入都与5V TTL / CMOS逻辑兼容，并具有公共使能输入。每个输出设备都具有独立的电流限制（ILIM）和热限制（TLIM），以防止过载条件。从每个输出（成对）连接到Clamp引脚的转向二极管可以与外部稳压二极管一起使用，以保护IC免受感性负载开关引起的过电压瞬变。为了允许从芯片传导最大的热量，DIP，PLCC和SOIC封装上的所有接地引脚直接连接。

CATALYST CAT1026/CAT1027 说明书

CAT1026 和 CAT1027 是基于微控制器的系统的完整存储和监控解决方案。2k 位串行 EEPROM 存储器和带有防断电保护的系统电源监督器在低功耗 CMOS 技术中集成在一起。内存接口通过 400kHz I2C 总线。CAT1026 和 CAT1027 提供带有五个复位阈值电压选项的精密 VCC 感应电路，支持 5V、3.3V 和 3V 系统。电源监控和复位电路在供电上电/下电期间以及在断电条件下保护内存和系统控制器。如果电源电压超出正常范围，则会触发复位，以便保护系统。可通过外部引脚配置复位电压。

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