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ROHM RSR020N06 说明书

RSR020N06是ROHM公司生产的一款Nch 60V 2A的功率MOSFET，具有低导通电阻、内置G-S保护二极管、小型封装等特点。

RSR025N03是一款低导通电阻、带内置G-S保护二极管的N沟道MOS FET。外形小巧，适用于功率开关和DC/DC转换器。

RSR025N05是ROHM生产的一款Nch 45V 2.5A的功率MOSFET，其特点是低导通电阻，内置G-S保护二极管，采用TSMT3小型表面安装封装，符合RoHS标准。

RSU002N06 是 ROHM 公司生产的一款 N-channel MOSFET，具有高转换速度、小封装和低驱动电压的特点，适用于开关应用

RSU002P03是4V驱动的P型MOSFET，具有低导通电阻和开关特性。

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RTF025N03 Nch MOSFET是2.5V驱动的产品，特点是低导通电阻、小体积、低电压驱动。

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2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03是ROHM生产的一款N沟道MOS管，具有低导通电阻、小封装、低驱动电压的特点，适用于开关电源、电机驱动等应用

该文件介绍了ROHM公司的RTQ020N05产品，该产品是一种低压驱动的N沟道MOSFET，具有低导通电阻和小尺寸表面贴装封装。主要应用于开关电路。文档还提供了产品的尺寸、最大额定值、热阻以及电性能等详细信息。

该文件介绍了RTR020N05晶体管的特点和特性，包括低导通电阻、小尺寸表面贴装封装、低电压驱动等。

RTR025N03 is a N-channel MOS FET with a low on-resistance and a space saving-small surface mount package (TSMT3).

RTR025N05是ROHM公司生产的一款N通道MOSFET，具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装等特点

RU1E002SP是ROHM公司生产的一款4V驱动的Pch MOSFET，具有高速度开关、小封装（UMT3F）和4V驱动等特点。

本文件是BCcomponents PR01/02/03专业功率金属膜电阻器的产品规格书，介绍了该产品的特点和性能

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产品PSD03 thru PSD24C 为标准TVS 组件，具有防ESD、EFT、Surge 特性，支持 Unidirectional 和 Bidirectional 配置，可保护一个电源或 I/O 端口，可提供多个电压 3.0V 到 24.0V，ESD 保护 > 40 千伏，低钳位电压。

PSD4235G2V是PSD提供的一款集成解决方案，包括可配置的内存、PLD逻辑和I/O，适用于基于16位MCU的应用。它具有双端口闪存存储器、PLD宏单元、7个I/O端口、In-System Programming (ISP)和JTAG等功能。

该数据表提供了RRL025P03 Pch -30V -2.5A Power MOSFET的规格，包括最大功率耗散、最大电压、最大电流、最大温度等。

该文件介绍了一种新产品的初步信息，该产品是一种用于8位MCU的Flash In-System可编程（ISP）外设。它具有单供电电压、主闪存和次闪存、SRAM、PLD、可重构的I/O端口、增强型JTAG串行端口、可编程的电源管理等特点。