HITACHI 2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S) Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S) 是 N 通道 MOS FET，可用于高频功率切换。特点包括低阻态、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿，适用于开关稳压器和 DC-DC 转换器。
HITACHI 2SK1153, 2SK1154 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1153, 2SK1154是硅N沟道MOS FET，适用于高速功率开关应用。具有低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关稳压器和DC-DC转换器。
HITACHI (128 x 128-dot Graphics LCD Controller/Driver with Four-grayscale Functions) HD66750/1 说明书 HD66750/1 是一个 128 x 128 点的图形 LCD 控制器和驱动器 LSI，它显示四种单色灰度的 128 乘 128 点图形。
HITACHI 2SK1155, 2SK1156 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1155, 2SK1156 是双极型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1159, 2SK1160 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1159, 2SK1160是日本三菱电机生产的一款高压开关管，它具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场合。
HITACHI 2SK1161, 2SK1162 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1161, 2SK1162是N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1163, 2SK1164 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 2SK1163, 2SK1164是东芝生产的一种高压大电流N沟道MOSFET器件，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1165, 2SK1166 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1165, 2SK1166是东芝公司生产的一款高压大电流N沟道MOSFET，适用于开关电源和DC-DC转换器，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点。
HITACHI 2SK1167, 2SK1168 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 该文件介绍了2SK1167和2SK1168硅N沟道MOS FET的应用，其特点包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿，并适用于开关稳压器和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1169, 2SK1170 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 2SK1169, 2SK1170是两款高压功率开关型N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
FUJI Electril 2SK1177 数据手册 该文档介绍了一款电子产品的绝对最大额定值和电气特性。该产品的型号为2SK1177，品牌未提及。它具有500V的漏极电压和250µA的漏极电流。此外，它还具有2.0-4.0V的阈值电压，30W的功耗等特性。
