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ROHM QS8F2 说明书

QS8F2是ROHM公司生产的一款低压驱动Pch MOSFET+PNP TRANSISTOR，具有低导通电阻、高功率封装、低压驱动等特点，适用于开关电源等应用场合。

PT5020系列是Power Trends推出的集成开关稳压器产品，可将正电压转换为负电压，应用范围广泛。

QSH29双数字晶体管具有低饱和电压和高电流增益，内置二极管保护，适用于驱动电路

DM54LS260/DM74LS260是美国国家半导体公司生产的双5输入NOR门电路。

SSTA28 / MMSTA28 是 ROHM 生产的 1/2 NPN 通用用途晶体管，具有 BVCES < 80V (Ic=100µA) 的特点。

UMT2907A / SST2907A / MMST2907A是ROHM公司的1/4 PNP Medium Power Transistor (Switching)，特点是BVCEO< -60V (IC=-10mA)，是UMT2222A / SST2222A / MMST2222A的补充。

UMT2222A / SST2222A / MMST2222A是一种NPN中功率晶体管，用于开关应用。具有高电压和互补型号。

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QS6U22 Transistors是一种具有Pch MOS FET和Schottky势垒二极管的封装，具有低通态电阻、快速切换、低电压驱动和低正向电压的特点。适用于负载开关和DC / DC转换等应用。

QS5U28 是一款低压驱动 Pch+SBD MOS FET，具有低开关损耗和低正向压降，适用于负载开关和 DC/DC 转换等应用。

QS5U27是2.5V驱动Pch+SBD MOS FET，具有低压驱动、低导通电阻、快速开关、内置肖特基二极管等特点，应用于负载开关、DC/DC转换等场合。

QS5U26 Transistor Rev.B是一款Pch+ SBD MOSFET，具有低阻态电阻、快速开关速度、低电压驱动和低正向电压等特点。适用于开关应用。

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BAT 62是低功耗硅肖特基二极管，用于检测高达GHz的频率。

QS5U21是2.5V驱动的Pch+SBD MOS FET。该管子具有低导通电阻和快开关特性，内置肖特基二极管，正向压降低，适用于负载开关和DC/DC转换等应用。

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QS8M12是一款低压驱动的Nch+Pch MOSFET，具有低压驱动、高功率、低导通电阻的特点，主要用于开关电源。

该文件介绍了ROHM公司生产的2.5V驱动Nch MOSFET QS8K2的特点和特性，包括低导通电阻、高功率封装和2.5V驱动等。

QS8K21是罗姆公司生产的Nch + Nch MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装、低电压驱动等特点，适用于开关应用。

74LVC86A是Philips Semiconductors生产的一种低压、低功耗的CMOS逻辑芯片，它具有1.2V-3.6V的宽电源范围，支持5.5V电压的输入，还可以作为译码器在混合3.3V/5V电源环境下使用。