lnternational IOR Rectifier IR2105 HALF BRIDGE DRIVER 数据手册 IR2105是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用专有的HVIC和抗锁存CMOS技术，实现了坚固的单片构造。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动在10至600伏之间工作的N通道功率MOSFET或IGBT。
National Semiconductor LMD18201 3A, 55V H-Bridge 数据手册 LMD18201是一款3A的H桥，专为运动控制应用而设计。该器件采用多技术工艺制造，将双极和CMOS控制电路与DMOS功率器件结合在同一单片结构上。H桥配置非常适合驱动直流和步进电机。LMD18201可以容纳高达6A的峰值输出电流。通过在电源接地引线上串联一个小感应电阻可以实现电流检测。对于不需要干扰电流流向负载的电流检测，建议使用LMD18200。
lnternational IOR Rectifier IR2108(4) (S) & (PbF) HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册 IR2108(4) (S) & (PbF)是Irfineon的一种高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有双向高、低侧参考输出通道。
lnternational IOR Rectifier IR2152 SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册 IR2152是一种高压、高速、自振动的功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高低侧参考输出通道。具有负压暂态耐受性，可工作到+600V。具有欠压锁定、可编程振荡频率等特点。
National Semiconductor LMD18245 3A, 55V DMOS Full-Bridge Motor Driver 数据手册 LMD18245是一款3A，55V的DMOS全桥电机驱动器，它集成了所有驱动和控制电刷型直流电机或双极步进电机一个相电流所需的电路
ON Semiconductor LM2576 数据手册 LM2576是半导体元器件公司生产的一种3.0A、15V的开关电源稳压器，该稳压器具有优良的线路和负载调整特性，可在3.3V、5.0V、12V、15V和可调电压等固定输出电压下工作，并具有较高的功率转换效率。
CIT A1 22.8 x 15.3 x 25.8 mm 该文件介绍了一种尺寸为22.8 x 15.3 x 25.8 mm的汽车和灯具配件开关，具有可达到25A的开关能力，体积小、重量轻，可通过PCB针脚或快速连接进行安装。具有RoHS合规性，适用于汽车和灯具配件。详细介绍了线圈电压、电阻、操作时间、释放时间等技术参数。
lnternational IOR Rectifier IR2183(4)(S) & (PbF) 数据手册 IR2183(4)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有从属的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闭锁免疫CMOS技术可实现坚固耐用的单片式构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，专为最小化驱动器交叉导通而设计。浮动通道可用于在启动期间驱动N通道功率MOSFET或IGBT，以便在启动期间快速充电和关闭电流。
ST L293D L293DD PUSH-PULL FOUR CHANNEL DRIVER WITH DIODES 数据手册 L293D是一种四通道推挽驱动器，具有600mA输出电流和1.2A峰值输出电流的能力。它具有使能功能、过温保护、高噪声免疫等特点。该驱动器适用于驱动电感负载和开关功率晶体管，适用于频率高达5kHz的开关应用。
lnternational IOR Rectifier IRS2166D(S)PbF 数据手册 IRS2166D是一款集成了PFC、ballast控制和600V半桥驱动器的IC。关键导通模式增益型PFC，可编程半桥过流保护，可编程预热频率，可编程死区时间，可编程预热时间，可编程运行频率，符合RoHS标准。
data delay devices, inc. DUAL, HCMOS-INTERFACED FIXED DELAY LINE (SERIES MDU28C) MDU28C是一款双通道HCMOS接口固定延迟线，可在两个独立的延迟线上分别实现10ns、12ns、16ns、20ns和25ns的延迟
AMD Am29LV104B 该文件介绍了Advanced Micro Devices正在开发的一款产品的特点和特性，该产品是一种4兆位（512 K x 8位）CMOS 3.0伏特的闪存记忆芯片，具有单一电源供应、制造工艺为0.35微米、高性能、超低功耗和灵活的扇区结构等特点。
lnternational IOR Rectifier IRS2183/IRS21834(S)PbF 数据手册 IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧引用输出通道。采用专有的HVIC和抗封锁CMOS技术，实现了坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，逻辑电压下限为3.3V。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，最高电压为600V。
ST L293B L293E PUSH-PULL FOUR CHANNEL DRIVERS 数据手册 L293B和L293E是四通道推挽驱动器，能够输出1A的电流。每通道由一个TTL兼容的逻辑输入控制，每对驱动器（一个全桥）配备一个使能输入，使能输入可以关闭四个晶体管。逻辑部分有一个独立的供电输入，以便能够使用较低的电压运行，从而降低功耗。另外，L293E具有外部感应电阻连接，用于开关模式控制。L293B和L293E分别采用16和20针的塑料DIP封装，并且都使用四个中心引脚将热量传导到印刷电路板。
HTACHI CP-S210/CP-S210T/CP-S210F User's Manual 这份文件介绍了CP-S210/CP-S210T/CP-S210F CP-S210W/CP-S210WT/CP-S210WF投影仪的特点和特性。
