IDT71V256SA是一款262,144位高速静态RAM，组织为32K x 8。它是使用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造的。IDT71V256SA具有出色的低功耗特性，同时又保持着非常高的性能。地址访问时间最快为10ns，非常适合3.3V桌面设计中的3.3V二级缓存。当电源管理逻辑将IDT71V256SA置于待机模式时，其非常低的功耗特性有助于延长电池寿命。通过将CS置高，SRAM将自动进入低功耗待机模式，并且只要CS保持高，SRAM将保持待机状态。此外，在全待机模式下（CS处于CMOS电平，f=0），功耗保证始终低于6.6mW，通常会更小。IDT71V256SA采用28针300mil SOJ和28针300mil TSOP Type I封装。
