THSHIBA TLP525G,TLP525G−2,TLP525G−4 说明书(1)(1) 该数据表格列出了TLP525G,TLP525G−2,TLP525G−4的规格参数，包括最大电流、最大电压、最小电压、重量等信息。
THSHIBA TLP525G,TLP525G−2,TLP525G−4 说明书(1) 该产品是TOSHIBA生产的TLP525G、TLP525G−2、TLP525G−4三个型号的光耦合器，具有光电隔离、高耐压、低阻抗、高可靠性等特点
THSHIBA TLP525G,TLP525G−2,TLP525G−4 说明书(2) TLP525G,TLP525G−2,TLP525G−4是TOSHIBA生产的光电耦合器，由光电晶体管和发光二极管组成，可以用作可控硅的驱动器，具有高隔离电压和高响应速度的特点。
TOSHIBA Photocoupler GaAs IRed & Photo−Transistor TLP531,TLP532 说明书(1)(1) TLP531,TLP532 是东芝生产的光电耦合器，由发光二极管和光电二极管组成，集成在一个六引脚塑料DIP中。TLP532 适用于高EMI环境。
TOSHIBA Photocoupler GaAs IRed & Photo−Transistor TLP531,TLP532 说明书(1) TLP531,TLP532是东芝生产的光电耦合器，采用6引脚塑料DIP封装，包含一个光电二极管和一个光敏晶体管，具有50%的光电转换比，最高工作电压为55V，最高工作电流为70mA，最高绝缘电压为2500Vrms。
THSHIBA TLP627,TLP627-2,TLP627-4 说明书(1) 该文件介绍了TOSHIBA TLP627系列光耦合器的特点和特性，包括具有优化开关速度和高温特性的镓砷化物红外发射二极管和达林顿连接光电晶体管。TLP627-2提供了两个隔离通道，而TLP627-4每个封装提供了四个隔离通道。
THSHIBA TLP627,TLP627-2,TLP627-4 说明书 TLP627,TLP627-2,TLP627-4 是 TOSHIBA 生产的光电耦合器，该产品由发光二极管和光敏三极管组成，具有集成基极-发射极电阻、高开关速度和高温特性等特点。
THSHIBA TLP627A,TLP627A-2,TLP627A-4 说明书 TLP627A,TLP627A-2,TLP627A-4是东芝公司生产的光耦合器，其由发光二极管和光敏三极管组成，具有高耐压、高转换比和高隔离等特性。
TOSHIBA PHOTOCOUPLER GaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR TLP627A,TLP627A-2,TLP627A-4 说明书 TLP627A、TLP627A-2和TLP627A-4是由镓砷化物红外发光二极管光耦合到达林顿连接的光电晶体管组成的。具有350V高电压集电极-发射极击穿电压。TLP627A-2在一个八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道，而TLP627A-4每个封装提供四个隔离通道。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP628,TLP628−2,TLP628−4 说明书(1)(1) TLP628、TLP628−2、TLP628−4是东芝的光耦合器产品，包含镓砷化物红外发射二极管和具有350V高压集电极-发射极击穿电压的光电晶体管。TLP628−2提供了一个八引脚塑料双列直插包装中的两个隔离通道，而TLP628−4则提供了一个八引脚塑料双列直插包装中的四个隔离通道。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP628,TLP628−2,TLP628−4 说明书(1) 该文档介绍了TLP628、TLP628−2和TLP628−4三款产品的特点和特性，它们是由镓砷化物红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。这些产品具有高达350V的集电极-发射极击穿电压和50%以上的电流传输比。TLP628−2有两个隔离通道，TLP628−4有四个隔离通道。这些产品的封装形式分别为八引脚塑封DIP封装和多个引脚的封装。
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor TLP628,TLP628−2,TLP628−4 说明书(2) TLP628,TLP628−2,TLP628−4是TOSHIBA生产的光电耦合器，采用GaAs Ired和光电晶体管，提供350V高压的集电极-发射极击穿电压。TLP628−2提供两个隔离通道，TLP628−4提供四个隔离通道。
