三菱 RD70HVF1 说明书 RD70HVF1是一种MOS FET型晶体管，专为VHF/UHF高功率放大器应用而设计。特点包括高功率和高增益，在VHF频段时，Pout>70W，Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz，在UHF频段时，Pout>50W，Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz；高效率，在VHF频段时，60%typ.，在UHF频段时，55%typ.。适用于VHF/UHF频段移动无线电设备中的高功率放大器的输出级。符合RoHS指令。
三菱 RD70HHF1 说明书 RD70HHF1是罗氏化学(ROHM)公司生产的一款高功率MOSFET型晶体管，专门设计用于HF射频功率放大器应用。该晶体管具有高功率和高增益特性，输出功率可达70W，增益可达13dB。RD70HHF1还具有高效率特性，在HF频段上的效率可达60%。该晶体管适用于HF频段移动无线电机组的高功率放大器输出级。
三菱 RD60HUF1 说明书 RD60HUF1是一种MOS FET型晶体管，专门设计用于UHF高功率放大器应用。其特点包括高功率和高增益，功率输出大于60W，增益大于7.7dB @ Vdd=12.5V，频率为520MHz。具有高效率，UHF频段上为55%typ。适用于UHF频段移动无线电集的高功率放大器输出级。
三菱 RD45HMF1 说明书 RD45HMF1是Nexperia公司生产的一款MOSFET型晶体管，该晶体管专门设计用于900MHz频段的高功率放大器应用。它的特点是高功率和高增益，输出功率可达45W，增益可达4.7dB。它适用于800-900MHz频段移动收音机的高功率放大器的输出级。
三菱 RD00HVS1 说明书 RD00HVS1是一种特殊设计用于VHF/UHF射频放大器应用的MOS FET型晶体管。具有高功率增益Pout>0.5W，Gp>20dB @Vdd=12.5V，f=175MHz。
三菱 RA18H1213G 说明书 RA18H1213G是一款18瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于在1.24-1.30 GHz范围内运行的12.5伏移动收音机。该模块具有增强型MOSFET晶体管，宽频带频率范围，低功耗控制电流等特点。
