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ST 74V1G80 数据手册

74V1G80是ST公司的一款高性能CMOS单正沿触发D型翻转存储器，工作电压范围为2V-5.5V，可应用于便携式设备。该器件采用SOI工艺，具有高速度、低功耗、高噪声免疫、低功耗下掉电保护、输出对称阻抗和平衡延迟等特点。

该文件介绍了74V1G86单独的异或门的特点和特性，包括高速、低功耗、高抗噪声干扰、输入保护、对称输出阻抗、平衡传播延迟等。

74V1GU04是一种高速CMOS单反相器，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。具有高速、低功耗、高噪声抗干扰、输入断电保护等特点，适用于模拟应用如晶体振荡器。

74V1GU04是一种高速CMOS单反相器，具有高速、低功耗、高噪声抗干扰、输入电源保护等特点。

74V1T00是一种高速CMOS单2输入NAND门，具有高速、低功耗、兼容TTL输出、功率保护等特点。

74V1T02是一个高速度CMOS SINGLE 2-INPUT NOR GATE，具有以下特点：高速度、低功耗、与TTL兼容、输入电压范围宽、输出电流对称、延时平衡和改进的锁存免疫。

该文件介绍了74V1T03单一2输入开漏非与门的特点和特性。该产品具有高速、低功耗、兼容TTL输出、输入的电源保护、工作电压范围广等特点。

74V1T04是一种高速CMOS单反相器，具有高速、低功耗、与TTL输出兼容等特点。

74V1T05是高性能CMOS开漏单元，具有低功耗和高噪声免疫性。

74V1T07是CMOS逻辑门，具有高速、低功耗、兼容TTL输出、电源下拉保护、广泛的供电范围、改进的锁存免疫等特点

74V1T08是高性能CMOS单2输入与门，集成度高，速度快，功耗低，具有良好的抗干扰能力，可用于5V到3V电压接口

74V1T125单总线缓冲器（3状态）是一款高性能、低功耗、兼容TTL输出、具有电源下拉保护的CMOS器件。

74V1T126是一款高速CMOS单总线缓冲器，具有低功耗、与TTL输出兼容等特点。

该文档介绍了74V1T14单施密特反相器的特点和特性，包括高速、低功耗、典型滞后电压、输入的掉电保护、对称输出阻抗等。

74V1T32是74系列的单二输入OR门芯片，采用先进的C2MOS技术，高噪声免疫和稳定的输出。电压范围为0-7V，可用于5V到3V的电平接口。

74V1T384是硅栅C2MOS技术制造的高性能CMOS单高速总线开关。

74V1T66 是CMOS工艺制造的单向双向开关，具有高速度和低功耗特性，可在电源电压范围内进行信号转换。

74V1T70是采用C2MOS工艺制成的高性能高速CMOS单缓冲器，具有高噪声免疫性和稳定的输出。提供输入电源下拉保护，输入电压范围为0-7V，无需考虑电源电压。该器件可用于5V到3V的接口。

该文件介绍了一款高速CMOS单D型锁存器的特点和特性，包括高速传输速率、低功耗、与TTL输出兼容等。该产品适用于4.5V至5.5V的工作电压范围，适用于便携式应用。

该文件介绍了一种高速CMOS单正边沿触发的D型触发器。该触发器采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造，适用于4.5V至5.5V的工作电压范围。它具有高速、低功耗、与TTL输出兼容等特点，可用于接口5V至3V系统。