FAIRCHILD FDP51N25 数据手册 FDP51N25 250V N-Channel MOSFET，是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的51A、250V、RDS（on）= 0.060 Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为55 nC）、低Crss（典型值为63 pF）、快速开关、100％雪崩测试、改进的dv/dt能力的N-Channel增强型功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FDP6021P/FDB6021P 数据手册 该文件介绍了FDP6021P/FDB6021P型号的P-Channel功率MOSFET的特点和特性，适用于电池管理、负载开关和电压调节等应用。
FAIRCHILD FDP8870 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mΩ 数据手册 FDP8870是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，额定电压为30V，额定电流为156A，其特点是导通电阻低（4.1mΩ），开关速度快
FAIRCHILD FDP8874 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 114A, 5.3mΩ 数据手册 FDP8874是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，额定电压为30V，最大电流为114A，典型导通电阻为5.3mΩ。该器件采用Trench技术，具有低门极电荷和高开关速度。
ST AN3965 Application note STM32F40x/STM32F41x in-application programming using the USART 该文档介绍了STM32F40x/STM32F41x型号微控制器的应用程序设计中使用USART进行固件更新的方法。
FAIRCHILD FDP8880 / FDB8880 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 54A, 11.6mΩ 数据手册 FDD8880是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET。特点是rDS(ON) = 11.6mΩ, VGS = 10V, ID = 40A，可用于DC/DC转换器。
