ST AN1226 数据手册 介绍了RF功率MOSFET器件的两个基本类型DMOS和LDMOS的结构方面,比较了DMOS和LDMOS结构,揭示了RF MOSFET器件技术的基本原理,以及改善其RF性能和可靠性所面临的挑战
ST AN1224 APPLICATION NOTE 数据手册 本应用笔记介绍了一种使用低成本 900 MHz 蜂窝设备作为商用 FM 驱动器的可行性。该设备使用 STMicroelectronics 的产品 SD57045 LDMOS RF 晶体管。LDMOS 技术允许制造高效率和高增益的 FM 发射机放大器。LDMOS 在更高的增益、效率、线性度和偏置简便性方面具有比双极性器件更明显的优势,这可以降低整体系统成本,使其成为要求低成本 RF 功率晶体管解决方案的高容量业务的理想选择。
ST AN1223 APPLICATION NOTE 数据手册 本文档介绍了LDMOS和双极型技术之间的差异,并比较了它们的参数和性能。LDMOS是场效应晶体管 (FET) 的一种,具有双极结晶体管 (BJT) 所不具备的优点,包括热稳定性、频率稳定性、更高的增益、更高的鲁棒性、更低的噪声、更低的反馈电容、更简单的偏置电路、恒定输入阻抗、更好的 IMD 性能、更低的热阻和更好的 AGC 能力。
Alpha SMP1320 Series 数据手册 该文档介绍了Alpha Industries, Inc. SMP1320系列塑封表面贴装PIN二极管的特点和特性,适用于高性能无线开关应用,具有低电阻、低电容的特点。
ARRI 16SR-3 instruction manual ARRIFLEX 16SR 3指南书,介绍了产品的特点特性,包括eyecup iris lever、magazine safety latch、on-board battery等功能。
ST INFLUENCE OF GATE AND BASE DRIVE ON POWER SWITCH BEHAVIOUR 应用笔记(1) 本文档是AATON XTRprod用户手册,介绍了该产品的特点和特性。
Allegro A1391/A1392 数据手册 A1391-DS是A1391和A1392数据表,它是一款微功耗3V线性霍尔效应传感器,具有三态输出和用户可选的睡眠模式。该传感器集成电路(IC)提供的电压输出与施加的磁场成正比。在许多应用中,很难使用霍尔效应传感器IC获得足够的灵敏度水平,而不消耗超过3mA的电流。A1391和A1392通过增加用户可选的睡眠模式将电流消耗降至不到25μA。
ST A NEW APPROACH TO PARAMETER EXTRACTION FOR THE SPICE POWER MOSFET MODEL 应用笔记(1) 此文件为T9i Treadmill的操作手册,主要介绍了设备的功能及使用方法
Altera Corporation EPM3128A Dedicated Pin-Outs ver. 2.0 技术资料 This is the pin-out information of EPM3128A.