ANALOG DEVICES SSM2211* 数据手册 SSM2211是一款高性能音频放大器，能够提供1 W RMS的低失真音频功率，连接到桥接连接的8 Ω扬声器负载，（或1.5 W RMS连接到4 Ω负载），它工作在宽温度范围内，并针对单电源电压2.7 V至5.5 V进行指定。 当从电池供电时，它将继续工作至1.75 V，这使得SSM2211成为不受监管的便携式计算机、个人无线通信器、免提电话、扬声器电话、对讲机、音乐玩具和会说话的游戏的最佳选择。
Altera Corporation EPXA1 I/O Pins version 1.6 I/O 数据手册 EPXA1 I/O Pins version 1.6 是Altera公司发布的一款产品，其特点是具有672-Pin FineLine BGA和484-Pin Fineline BGA两种封装形式，支持DDR_VS0、DDR_VS1等功能。
ANALOG DEVICES SSM2301 数据手册 该文件介绍了一种无滤波器高效率单声道1.4W类D音频放大器，具有内置输出级。该放大器在5.0V供电下对8Ω扬声器提供1.4W输出，失真率小于1%，效率达到85%。具有超过98dB的信噪比，可在2.5V至5.0V的单电源操作。具有超低的20nA关机电流和短路和过热保护功能。适用于移动电话、MP3播放器、便携游戏机和教育玩具等应用。
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J117TU 数据手册 SSM3J117TU是一款高性能的4V驱动P通道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J13T 数据手册 SSM3J13T是TOSHIBA公司生产的一款P沟道MOS类型的场效应晶体管，具有小封装、低导通电阻、低栅极阈值电压等特点，适用于高频开关应用
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J14T 数据手册 SSM3J14T 是东芝公司生产的一款P沟道MOS型场效应晶体管，适用于功率管理开关DC-DC转换器，具有体积小、开关速度快、低阻抗等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K01T 数据手册 该文档介绍了SSM3K01T型号的TOSHIBA场效应晶体管的特性和特点，包括高速开关应用、小型封装、低导通电阻和低门阈电压。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU 数据手册(1) 该文档介绍了TOSHIBA品牌的SSM3K09FU型号场效应晶体管的特点和特性，适用于高速开关应用。其特点包括封装小、低导通电阻等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Lateral) SSM3K11T 数据手册 SSM3K11T是一种TOSHIBA场效应晶体管硅N沟道MOS型（横向）器件。它适用于DC-DC转换器高速开关应用，具有超高速开关、低反向传输电容、薄型封装和低导通电阻等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3K14T 数据手册 该文档介绍了TOSHIBA的SSM3K14T场效应晶体管，是一种用于DC-DC转换器高速开关应用的小型封装产品。它具有低导通电阻、高速开关等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15FU 数据手册 SSM3K15FU是一种TOSHIBA场效应晶体管，适用于高速开关和模拟开关应用。它具有小封装和低导通电阻的特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16FU 说明书 SSM3K16FU是东芝生产的一款N沟道MOSFET晶体管，适用于高密度安装和高性能开关应用场景。其特点是低导通电阻，最大工作电压为20V，最大工作电流为100mA，最大功耗为150mW。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16TE 说明书 SSM3K16TE是东芝生产的N沟道MOSFET，具有高开关速度和低导通电阻的特点，适用于高密度封装和模拟开关应用。
