FAIRCHILD FQP44N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 FQP44N10 是一款 43.5A、100V 的 N 通道 MOSFET，它采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的承受能力。该器件非常适用于音频放大器、高效率开关 DC/DC 转换器和 DC 电机控制等低电压应用。
FAIRCHILD FQP45N15V2 / FQPF45N15V2 150V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了FQP45N15V2/FQPF45N15V2型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括最低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换向模式下能够承受高能脉冲的能力。该产品适用于直流到直流转换器、同步整流等需要最低导通电阻的应用。
FAIRCHILD FQP46N15 150V N-Channel MOSFET 说明书 QFET QFET QFET QFET是飞利浦公司生产的一款高性能功率器件，采用先进的制程技术，具有高耐压、高电流、低功耗等特性，广泛应用于工业、汽车、消费电子等领域。
FAIRCHILD FQP55N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP55N10是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，该产品采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用。
Alliance Semiconductor ASM1233M Low Power, 5V/3.0V, µP Reset, Active LOW, Open-Drain Output 数据手册 ASM1233M是一款低功耗的5V/3.3V µP重置，带有活动低开漏输出。最大电源电流在温度范围内为低20µA。
FAIRCHILD FQP70N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP70N10是Fairchild Semiconductor International推出的一款N通道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造。该款产品具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器等低电压应用场景。
FAIRCHILD FQP8P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 FQP8P10是Fairchild生产的一种100V P通道MOSFET，其特点是低导通电阻、低栅极电容和快速开关特性，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用
FAIRCHILD FQP10N50CF/FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括10A的电流、500V的电压、低电荷和低电容、快速开关和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQP11N50CF/FQPF11N50CF 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP11N50CF/FQPF11N50CF是一款500V N沟道MOSFET，具有11A的最大电流和0.55欧姆的导通电阻。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、低门极电荷、低跨阻、快速开关、快速恢复体二极管和100%的雪崩测试等特性，适用于高效率的开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQT7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT7N10L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的100V LOGIC N-Channel MOSFET，具有1.7A、100V、RDS(on) = 0.35Ω @VGS = 10 V、低门控充电（典型值为4.6 nC）、低Crss（典型值为12 pF）等特点。
FAIRCHILD FQT7N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQT7N10 100V N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型功率场效应晶体管，它具有低门极电荷、低漏极-源极电容、快速开关和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQT5P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 FQT5P10 100V P-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于音频放大器、高效率切换DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用。
APLUS ASM12712C/17012C 数据手册 ASM12712C/17012C是一种低成本的语音合成器，具有4位微处理器。它具有4位ALU、ROM、RAM、I/O端口、定时器、时钟发生器、看门狗定时器等多种功能。该产品采用CMOS技术和停机功能，可以最大程度地减少功耗。其架构类似于RISC，具有两级指令流水线。除了程序分支和数据表读取指令（需要两个指令周期）外，所有指令都可以在一个周期内执行。
FAIRCHILD FQT1N80 N-Channel MOSFET 数据手册 FQT1N80TF_WS是N沟道增强型功率场效应晶体管，由Fairchild公司生产。该产品采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力以及改进的dv/dt能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FQT1N60C N-Channel MOSFET 数据手册 该数据表提供了 FQT1N60C N-Channel MOSFET 的特性和参数。该产品由 Fairchild 生产，是 600V、0.2A 的 N 通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有 9.3 欧姆的低 on 状态电阻、4.8n 的低栅极电荷和 3.5pF 的低 Crss。它还具有快速开关、100% 的放电测试和改进的 dv/dt 能力。该产品符合 RoHS 标准，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
APLUS ASM12712C 数据手册 ASM12712C是一款价格低廉的语音合成器，配备4位微处理器。其特点包括4位ALU、ROM、RAM、I/O端口、定时器、时钟发生器、看门狗定时器(WDT)和语音合成器等。使用CMOS技术和挂起功能可以最小化功耗。它的架构类似于RISC，具有两个指令流水线级。除了程序分支和数据表读取指令（需要两个指令周期）之外，所有指令都可以在一个周期内执行。
FAIRCHILD FQT13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06L是Fairchild生产的60V逻辑N通道MOSFET，具有低门控电荷、低反向电容、高开关速度、增强的dv/dt能力等特点。
APLUS ASM1506C 数据手册 ASM1506C是APLUS公司生产的一款非常低成本的语音合成器，具有4位ALU、ROM、RAM、I/O端口、定时器、时钟发生器、看门狗定时器(WDT)、语音合成器等各种功能。该器件包含22条指令。CMOS技术和停止功能可最大限度地降低功耗。其体系结构类似于RISC，具有两个阶段的流水线指令。除了程序分支和数据表读取指令（需要两个指令周期）之外，它允许所有指令在一个周期内执行。
FAIRCHILD FQT13N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效晶体管。这款设备采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，非常适用于低电压应用，如DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中的高效电源管理开关。
